本发明涉及用于不具有钛衬垫的MOL互连的装置。揭示了数种方法、设备及系统用于制造半导体装置，其包含半导体基板；在该半导体基板上方的氧化物层；设置于该氧化物层内的含钨的第一金属组件；在该氧化物层上方的层间电介质(ILD)，其中，该层间电介...

本发明涉及集成电路上打印触点、贯孔或曲线的光罩的双曝光图案化，其中，一种方法及系统用于：在光罩基材的光阻层上使用第一次阈值剂量，以光罩写入设备形成第一矩形形状；在该光阻层上使用第二次阈值剂量以该光罩写入设备形成重叠的第二矩形形状，该第二...

本发明涉及在非平坦硅表面上的应力松弛缓冲层，具体提供一种形成应力松弛缓冲(SRB,Stress Relaxed Buffer)层于非平坦的或开槽的硅(Si)表面上的方法及其装置。实施例包含形成非平坦表面于硅晶圆的上表面中；外延生长低温晶...

本发明涉及自组装单层原位气相沉积作为铜助粘剂及扩散阻障件的方法。铜区域在介电层中形成。包含有自组装单层的扩散阻障件沉积在铜区域上方。覆盖层沉积在自组装单层上方。在某些具体实施例中，覆盖层及自组装单层沉积在相同的处理室中。

本发明提供一种形成内存设备结构的方法及内存设备结构，该内存设备结构包括：一晶圆基板；一磁性隧道结(MTJ)，其由一第一磁性层、一第二磁性层及一非磁性薄层形成，该第一磁性层、该第二磁性层及该非磁性薄层沿着垂直于该晶圆基板的一上表面的一第一...

本发明公开一种在半导体装置上形成替代栅极结构的方法,其包括：除其它以外，围绕鳍片形成鳍片保护层；在该鳍片保护层的部分上方形成牺牲栅极电极；邻近该牺牲栅极电极形成至少一个侧间隙壁；移除该牺牲栅极电极以定义栅极开口，该栅极开口暴露该鳍片保护...

本发明涉及一种使用密闭外延生长技术形成的半导体装置，其包含：隔离区，其横向界定半导体基板中的主动区；栅极结构，其位在该主动区上面；侧壁间隔物，其与该栅极结构的侧壁相邻；蚀刻终止层，其位在该主动区的一部分上面并予以覆盖；层间介电材料，其位...

本发明涉及SADP友好互连结构轨迹生成的方法、系统及程序产品，其中，一种方法包括提供半导体互连实施工具，以及通过使用本文中所述并结合该半导体互连实施工具的一项或多项自对准双重图案化友好规则的其中任意一项、组合或全部来设计至少两个布线层，...

本发明所揭示为具有整合型实体编码与前向错误校正子层的以太网络物理层装置(例如：收发器、接收器及传送器)。各物理层装置包括实体编码子层(PCS)、前向错误校正子层(FEC)及(多个)整合功能块。各整合功能块于某数目的时钟周期止住PCS及F...

本发明揭示制造半导体装置的天线二极管电路，其揭示至少一种方法、设备及系统涉及用于半导体装置的天线二极管设计。提供操作性耦合至接地节点并耦合至充当隔离的p型阱的p型阱层的第一共用二极管，该隔离的p型阱是在深n型阱区上方形成，该深n型阱区相...

本发明涉及气流处理控制系统及使用晶体微天平的方法，所揭示为将晶体微天平(CM)(例如：石英晶体微天平(QCM))并入(多条)气流线的处理控制系统及方法，此(等)气流线进入及/或离开处理室。CM在气体于内含于其中的石英晶体传感器上方流动时...

本发明涉及用于可编程存储器阵列的字线电压产生器，关于一种产生高差动读取电流穿过非易失性存储器的方法，其包括自字线电压产生器接收电压读取输入，将第一电流输出至真数位线(BLT)，将第二电流输出至补数位线(BLC)，以及透过该第一电流与该第...

本发明涉及在光波导之间用于光信号传输的具有垂直对准光栅耦合器的多芯片模块，所揭示的是容许芯片间光信号传输的多芯片模块(MCM)。MCM可合并至少两个附接(例如通过互连件)的组件。举例而言，在本文中所揭示的一个MCM中，这两个组件可以是集...

本发明涉及用于静电卡盘系统的置中夹具，所提供的是用于在卡盘上置中晶圆的置中夹具。该置中夹具包括含上表面、下表面、内周缘及外周缘的本体。卡盘座置于该内周缘的下部分中并组配成用来使该本体与该卡盘嵌合。晶圆座置于该卡盘座上面该内周缘的上部分中...

本发明涉及闪速存储器装置，提供一种制造闪速存储器装置的方法，包括：提供绝缘体上硅(silicon‑on‑insulator；SOI)衬底，尤其是完全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon‑on‑insulator...

本发明涉及绝缘体上覆半导体晶圆、含晶体管的半导体结构及其形成与操作方法，绝缘体上覆半导体晶圆包括支撑基材、位在该支撑基材上方的电性绝缘层、及位在该电性绝缘层上方的半导体层。半导体结构包括晶体管。该晶体管包括在支撑基材上方含有压电材料的电...

本发明涉及形成高k接触衬垫以改善有效贯孔间隔距离的方法及其产生的装置，其中，一种方法包括形成位在第一介电层中的第一与第二接触开口。至少第一接触开口与衬垫层至少部分排齐。第一传导特征是在第一接触开口中形成，并且第二传导特征是在第二接触开口...

本发明涉及在形成半导体装置后形成衬底穿孔(TSV)及金属化层的方法，所揭示的一种示例方法包括：除其它以外，在半导体衬底上方形成半导体装置，形成至该半导体装置的装置层级接触，以及在形成该装置层级接触以后，执行至少一个共同制程操作，以形成位...

本发明涉及自对准与非自对准的异质接面双极晶体管的共同整合，是关于半导体结构，且更特别的是，关于自对准与非自对准的异质接面双极晶体管的共同整合和制法。该结构包括在相同晶圆上以不同外延基极分布整合的至少两个异质接面双极晶体管(HBT)装置。...

本发明涉及集成电路成像时用以测量聚焦相依图型位移的结构及方法，各项具体实施例包括用于测量集成电路(IC)影像的测量结构及方法。在一些情况下，用于对IC的影像进行测量的测量结构包括：具有正位移间隔图型的第一区段；该测量结构的对立侧上具有负...