本发明描述了一种用于提供可用于磁性器件中的磁子结构的方法和系统以及使用该子结构的磁性元件和存储器。该磁子结构包括多个铁磁层和多个非磁性层。多个铁磁层与多个非磁性层交替。多个铁磁层是与多个非磁性层不能混合的，并且相对于多个非磁性层在化学上...

描述了用于提供可在磁器件中使用的磁性结的方法和系统。该磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。非磁间隔层在被钉扎层与自由层之间。自由层具有磁各向异性，该磁各向异性的至少一部分是双轴各向异性。磁性结被配置为使得当写电流经过磁性结时自由层可...

描述了一种用于提供磁性结的方法和系统，该磁性结位于衬底上且可用于磁性器件中。该磁性结包括：第一被钉扎层；具有第一厚度的第一非磁间隔层；自由层；具有比第一厚度大的第二厚度的第二非磁间隔层；以及第二被钉扎层。第一非磁间隔层位于被钉扎层与自由...

本发明涉及磁性结、磁存储器及其方法。该磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。非磁间隔层在被钉扎层与自由层之间。该磁性结被配置为使得当写入电流流经该磁性结时自由层可在多个稳定磁性状态之间转换。被钉扎层和自由层中的至少一个包括磁性子结构。...

描述了用于提供磁存储器的方法和系统。所述方法和系统包括提供存储阵列片(MAT)、中间电路、全局位线、全局字线和全局电路。每个MAT包括磁存储单元、位线和字线。磁存储单元中的每一个包括至少一个磁元件和至少一个选择器件。磁元件能够使用通过磁...

提供一种存储器电路，包括：阵列、行解码器、列解码器、接收数据位的地址的寻址电路、接收命令并且向存储器系统块发送控制信号的控制逻辑、以及耦接到被选列的感测电路和写入驱动器电路。隐藏的读取比较电路耦接在感测电路和写入驱动器之间，其响应于在输...

本发明描述了用于提供改进转换性能的混合磁隧道结元件的方法和系统。磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。非磁间隔层在被钉扎层和自由层之间。自由层具有易锥面磁各向异性。磁性结被配置为使得当写入电流流过磁性结时自由层在多个稳定磁状态之间可转换。

本发明涉及一种伪页面模式存储器架构和方法，是一种非易失性存储阵列包括多个字线和多个列。所述列之一还包括耦合到第一、第二、第三和第四信号线的双稳态再生电路。所述列还包括非易失性存储单元，其具有耦合到第一信号线和第二信号线的载流端和耦合到多...

磁性多层结构，例如磁性或磁阻隧穿结（ＭＴＪ）和自旋阀，具有形成为邻接并磁性耦合到自由铁磁层的磁性偏置层，以获得针对由例如热波动和杂散场导致的波动的期望稳定性。可以使用ＣＭＯＳ工艺制作具有使用该磁性偏置层的低纵横比的稳定ＭＴＪ单元，用于例...