本发明为表面处理组合物、表面处理方法和半导体基板的制造方法。本发明提供能够充分去除残留于完成了研磨的研磨对象物表面的残渣且降低完成了研磨的研磨对象物的表面粗糙度的手段。一种表面处理组合物，其包含下述(A)～(C)成分且pH超过7.0。(...

[技术问题]本发明提供一种加工力优异，研磨后的耐洗刷性良好的研磨用组合物。[解决手段]一种研磨用组合物，其包含磨粒、水和疏水性分散介质，所述疏水性分散介质含有选自由正构烷烃系烃、异构烷烃系烃、环烷烃系烃以及萜烯系烃组成的组中的至少1种，...

本发明提供一种磷酸钛粉体及其制造方法。所述磷酸钛粉体包含板状颗粒且板状颗粒以外的副产物的含有比例减少，显示出由化学式Ti(HPO4)2·nH2O(0≤n≤1)所示的磷酸钛的结晶性。所述制造方法包括：将含有磷和钛的酸性的原料水溶液加入至密...

本发明提供一种降低研磨对象物表面的雾度的优异的研磨用组合物

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此处公开的层叠造形用粉末材料包含碳化钨

根据本发明，能够提供可期待高有用性

本发明提供一种能够减少研磨后的基板的表面缺陷的方案

本发明涉及基板的研磨方法及研磨用组合物套组。具体地，本发明提供可有效达成高平坦度且低缺陷的表面的基板研磨方法。根据本发明所提供的基板研磨方法，在基板的预研磨工序中，包含依照顺序供给第1研磨液、第2研磨液与第3研磨液所进行的多个预研磨阶段...

提供用于能够降低研磨对象物的研磨后的表面上的磨粒残渣的手段。本发明的研磨用组合物包含磨粒和分散介质，所述磨粒是平均粒径(D

提供适合作为要求透明性的光学材料、树脂的填料且透射率高的粉体。本发明的粉体包含结晶性板状磷酸钛颗粒，并且粒径为0.52μm以上且0.87μm以下的颗粒的比例为7.0％质量以下。且0.87μm以下的颗粒的比例为7.0％质量以下。且0.87...

提供一种研磨方法和研磨用组合物，其适用于碳化硅的研磨，能够抑制研磨中的研磨用组合物的pH上升和垫温度上升。提供一种对具有由碳化硅构成的表面的研磨对象物进行研磨的方法。该方法包括：准备研磨用组合物的工序；以及、对上述研磨对象物供给上述研磨...

提供可高水平兼顾抑制研磨速率的降低和消除HLM周缘隆起的研磨用组合物。提供用于在硅晶圆的预备研磨工序中使用的研磨用组合物。上述研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、螯合剂、表面活性剂、含氮水溶性高分子及水。上述碱性化合物的重量浓度(B)相对...

提供一种研磨用组合物，其包含磨粒、高锰酸盐、铝盐和水。在上述研磨用组合物中，上述磨粒的浓度W1[重量％]、上述高锰酸盐的浓度C1[mM]和上述铝盐的浓度C2[mM]的关系满足下述条件[A]、[B]、[C]中的至少一个条件。[A]满足50...

本发明涉及研磨用组合物、研磨方法和半导体基板的制造方法。提供：用于改善SiOC的研磨速度相对于SiN的研磨速度之比的方案。提供一种研磨用组合物，其含有：磨粒，其包含至少1种氧化锆颗粒；选择比改善剂，其用于改善SiOC的研磨速度相对于Si...

提供可高水平兼顾抑制研磨速率的降低和减少研磨后的边缘塌边(edge roll off)量的研磨用组合物。提供：用于在硅基板的预备研磨工序中使用的研磨用组合物。上述研磨用组合物是由磨粒、碱性化合物、表面活性剂、螯合剂及水形成，作为上述表面...

本发明提供一种在硅晶圆的研磨中能够实现高研磨速度的方法。本发明涉及一种研磨用组合物，其用于研磨硅晶圆，其包含最高占据分子轨道(HOMO)的能级为

本发明提供一种在包含树脂和填料的研磨对象物的研磨中用于维持高的研磨速度并且降低表面粗糙度(Ra)的手段。本发明的研磨用组合物用于含有树脂和填料的研磨对象物的研磨，其包含氧化铝颗粒、胶体二氧化硅颗粒和分散介质，所述氧化铝颗粒的平均粒径小于...

提供一种耐等离子体侵蚀性优异、能够长期保护等离子体蚀刻装置的构件不受等离子体侵蚀的影响、有助于设备的稳定生产、构件的长寿命化的喷镀覆膜。作为本发明的一个方式的喷镀材料由复合化物形成，所述复合化物以40mol％以上且80mol％以下的比例...

提供一种遮盖力优异的粉体，其作为代替二氧化钛的白色颜料可以用于化妆品。本发明的粉体由板状晶体颗粒形成，体积D50％粒径为0.7μm以上且8.0μm以下，一次粒径的变异系数(CV值)为1.0以下。值)为1.0以下。