本发明提供：一种通过熔融硅的单向凝固制造高纯硅的方法，所述方法能够廉价地并且工业上容易地制造高纯硅，所述高纯硅具有低氧浓度和低碳浓度并且适用于如制造太阳能电池的用途；通过这种方法得到的高纯硅；以及用于制造高纯硅的硅原料。一种当通过使熔融...

本发明提供一种硅精制装置，所述硅精制装置在通过真空熔融工业制备高纯度的硅时使用，具有高的P移除速率以及因此高的生产率，并且是具有简单且廉价的装置构造的在成本方面实用的装置。这种硅精制装置包括在设置有真空泵的减压容器中的：容纳金属硅材料的...

本发明提供了：硅提纯装置，其使用一种环形保温盖作为用于将硅熔体表面保持在高温的保温手段，该环形保温盖可以在加热坩埚的同时被替换，并具有简单的结构且容易制造，所述硅提纯装置能够连续处理数十份进料的硅而按原样保持受热的坩埚；使用该硅提纯装置...

本发明的目标是在对金属或半导体熔体的精炼中，在不损害精炼效率的情况下缓解与由流动熔体中的不稳定性导致的坩埚不平相伴的磨损和撕裂，以及在长时期内允许安全操作从而不发生从坩埚的泄漏。提供一种金属或半导体熔体精炼方法，其中通过使用AC电阻加热...

本发明提供了一种用于通过真空熔融来精炼硅的方法，其中防止了杂质凝聚物从位于坩埚上方的杂质捕获装置落下和熔融硅的污染。用于容纳熔融硅(3)的坩埚(4)和用于加热坩埚(4)的加热工具(5)位于配备有真空泵(1)的处理室(2)的内部；还设置有...