本发明涉及执行运行中的独立磁盘冗余阵列RAID奇偶校验计算的方法。一种数据存储装置包括含有数据的非易失性半导体存储阵列、与非易失性半导体存储阵列通信的控制器及含有RAID单元的缓冲器，RAID单元经由控制器与非易失性半导体存储阵列通信。...

本发明的实施方式提供一种能够谋求I/O性能改善的存储器系统及控制方法。实施方式的存储器系统包含：非易失性存储器，包含多个区块，所述多个区块各自包含多个页；以及控制器，对所述非易失性存储器进行控制。所述控制器当从主机接收到指定第1逻辑地址...

实施方式的存储装置具备：第1存储单元阵列；第2存储单元阵列，相对于所述第1存储单元阵列配置在第1方向；第1接触插塞，在所述第1存储单元阵列中沿着所述第1方向延伸；以及第2接触插塞，在所述第2存储单元阵列中沿着所述第1方向延伸，且电连接在...

实施方式的存储装置具备：第1存储单元阵列；第2存储单元阵列，相对于所述第1存储单元阵列配置在第1方向；第1接触插塞，在所述第1存储单元阵列中沿着所述第1方向延伸；以及第2接触插塞，在所述第2存储单元阵列中沿着所述第1方向延伸，且电连接在...

本发明是一种电极膜的电阻较低的半导体存储装置。半导体存储装置具备：第一电极膜，沿第一方向延伸；第二电极膜，设置于第一电极膜的第二方向上，沿第一方向延伸；第三电极膜，设置于第一电极膜的第二方向上，沿第一方向延伸；绝缘部件，设置于第二电极膜...

本发明的实施方式提供一种能够减小贯通电极与半导体元件之间的接触电阻的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备半导体衬底，所述半导体衬底具有第1面及第2面，所述第1面具有半导体元件，所述第2面位于该第1面的相反侧。第1绝缘膜设置在半导体衬底...

本发明的实施方式的半导体存储装置具备：多根半导体柱，在第1方向延伸，且沿相对于所述第1方向交叉的第2方向排列；两条配线，在所述第2方向延伸，且在相对于所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上，设置于所述多根半导体柱的两侧；及电极膜，配...

一种半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式提供能够缩短从半导体主体中的与源层相接触的侧壁部到源层之上的栅层的距离的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置的栅层(80)被设置在源层(SL)与层叠体(100)之间，比电极层(70)1...

实施方式提供一种半导体存储装置、存储器系统及执行读取动作的方法。实施方式的半导体存储装置包含：第1及第2存储器单元；第1及第2字线，分别连接在第1及第2存储器单元；以及控制电路，分别响应第1及第2指令集而执行读取动作。控制电路能够执行使...

一种半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式提供能够缩短从半导体主体中的与源层相接触的侧壁部到源层之上的栅层的距离的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置的栅层(80)被设置在源层(SL)与层叠体(100)之间，比电极层(70)1...

一种半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式提供能够缩短从半导体主体中的与源层相接触的侧壁部到源层之上的栅层的距离的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置的栅层(80)被设置在源层(SL)与层叠体(100)之间，比电极层(70)1...

实施方式提供配线的布局容易的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括：半导体基板；多个晶体管，形成于所述半导体基板的上表面，沿着第1方向排列，且最小周期为第1周期；积层体，设置于所述半导体基板上且具有多片电极膜；第1触点，下端连接于...

一实施方式的半导体存储装置具备行解码器及存储单元阵列，所述存储单元阵列具备第1功能块。第1功能块具备：第1区域(CEL)；第2区域(WLHU)，在第1方向(Y方向)上与第1区域(CEL)相邻；及第3区域(CNCT)，连接第1区域(CEL...

本发明的实施方式提供一种能够提高动作可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置具有：用于第1通道的多个第1输入输出电路；多个第1输入输出垫，与多个第1输入输出电路分别对应；用于第1通道的多个第2输入输出电路；多个第2输入输出垫，与多个第2...

本发明的实施方式提供一种存储系统和控制方法，能够无裸片争用地访问非易失性存储器，且能够消除不均等的消耗。实施方式的存储系统以与多个信道连接的多个非易失性存储器裸片中的每一个仅属于一个裸片组的方式，将所述多个非易失性存储器裸片分类为多个裸...

本发明的实施方式提供能既抑制单元间相互干扰又减小存储控制器的写入缓冲量的存储系统。实施方式的存储系统具备：具有多个存储单元的非易失性存储器和存储控制器。所述多个存储单元能存储三位的数据。所述多个存储单元分别使所述三位中的第一位与第一页对...

一种存储设备包括非易失性存储器、可连接到主机的通信接口，以及控制器。控制器被配置为当通过通信接口接收到与数据相关联的写入命令时，执行在非易失性存储器的物理位置处通过通信接口接收的数据的写入，在确定已经完成在非易失性存储器的物理位置处的数...

本发明的实施方式提供一种存储系统和控制方法，能够无裸片争用地访问非易失性存储器，且能够消除不均等的消耗。实施方式的存储系统以与多个信道连接的多个非易失性存储器裸片中的每一个仅属于一个裸片组的方式，将所述多个非易失性存储器裸片分类为多个裸...

本发明的实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置以及在半导体装置中执行验证动作的方法。实施方式的半导体存储装置包括第1存储单元(MT)、连接于第1存储单元的第1位线(BL)、及连接于第1位线(BL)的第1读出放大器(SAU)。第1...

本发明的实施方式提供一种能够降低消耗电力的半导体存储装置。实施方式的存储系统包括：第1及第2存储单元；及第1及第2位线，分别连接在第1及第2存储单元。对第1存储单元写入第1数据(A