东莞华科电子有限公司专利技术

东莞华科电子有限公司共有15项专利

  • 本发明提供一种无铅厚膜电阻组成物,其包含二氧化钌、一硼硅酸系玻璃、一添加成分、一有机载体以及一溶剂;其中,该添加成分包含一氧化铜或一氧化铜以及一选自由二氧化钛、二氧化硅、五氧化二钒及其组合所组成的氧化物。以本发明的无铅厚膜电阻组成物所制...
  • 本发明提供了一种陶瓷组成物、陶瓷烧结体、电容与电容制法。所述陶瓷组成物包含主混合物和副混合物,其中所述主混合物包含第一主成分粉和第二主成分粉,且所述第一主成分粉包含BaTiO3,所述第二主成分粉包含SrTiO3、Ba
  • 本发明提供一种缓冲层用助烧结剂、包含缓冲层的电阻及电阻制法。该缓冲层用助烧结剂包含硼钡锌硅铝钒系玻璃料。本发明同时提供一包含缓冲层的电阻,由于缓冲层包含上述的硼钡锌硅铝钒系玻璃料,因此,电阻层可借助夹置于基板和电阻层中的缓冲层提升其与基...
  • 本发明提供一种覆膜复合金属氧化物的制造方法。该制造方法通过选用可溶于溶剂的金属盐,将多元醇加入含有该金属盐与复合金属氧化物的混合浆料中,再通过加热步骤来得到该覆膜复合金属氧化物。本发明无需先产出特定形式的金属络合物或溶胶,从而可降低生产...
  • 本发明提供了一种电极膏、电极、包含其的陶瓷电子元件及该元件的制法,所述电极膏包含:导电粒子、复合助烧剂、树脂、以及有机溶剂;其中,该复合助烧剂包含:含铜化合物、钡盐、钙盐、以及锰盐。此外,本发明还提供由前述电极膏烧附而成的电极、包含前述...
  • 一种抗硫化的晶片电阻及其制法,晶片电阻包含基板、两上电极层、电阻层、第一保护层、两抗硫化构件、第二保护层与两端电极构件;两上电极与电阻层设置于基板上,电阻层的两端部分别迭接于两上电极层的电阻迭接区域,第一保护层局部覆盖该电阻层,各抗硫化...
  • 聚合物基复合材料及其制备方法
    本发明公开一种聚合物基复合材料及其制备方法,聚合物基复合材料包含:一基材,该基材为聚合物材料;以及一分散于该基材中的改质的陶瓷粉体,该改质的陶瓷粉体指一陶瓷粉体的表面经过有机小分子处理,且以该陶瓷粉体的质量为基准,该有机小分子的含量介于...
  • 本发明提供一种微波介电玻璃陶瓷材料,包括:一主相成分,该主相成分包含至少一玻璃陶瓷材料CaxMgySizO(x+y+2z),其中x、y分别为0至50mole%,且z为0至50mole%;以及第二相成分,该第二相成分可为CaTiO3、Mg...
  • 本发明提供一种具抗还原特性的微波陶瓷组成物,包括:结构式为CaxMgySizO(x+y+2z)的玻璃陶瓷材料,其中x与y为0至50摩尔百分比,且z为0至50摩尔百分比;以及至少一种添加成分,该等添加成分如:氧化铝(Al2O3)、氧化锌(...
  • 本发明关于两种导电金属组成物,其中一种导电金属组成物包括:含钛化合物;镍金属及铜金属或铜合金;其中,以镍金属的含量为100wt%,含钛化合物占10至20wt%,铜金属或铜合金占0.5至20wt%;而另一导电金属组成物包括:含钛化合物;铜...
  • 本发明是关于一种烧结添加组合物,包括:二氧化硅、三氧化二硼;以及至少二改质成分,该改质成分选自下列所组成的群组:三氧化钨、三氧化钼及二氧化锡,其中以烧结添加组合物总量为100摩尔,二氧化硅的含量介于60摩尔与85摩尔之间,三氧化二硼的含...
  • 本实用新型涉及一种可提高耐电压的积层陶瓷电容器,于一积层本体两侧设有相异极性的端电极,并在积层本体内部堆叠多层相耦合的内电极,于靠近该积层本体的顶面及底面的内部分别设有两个顶部遮护电极及两个底部遮护电极,在该顶部遮护电极之下设有一第一中...
  • 本发明涉及一种聚合物基复合材料,该聚合物基复合材料包含有:一基材,该基材是由聚合物材料所构成;以及一分散于该基材中的强化材,该强化材含有微米级金属粉体与纳米级金属粉体,且这些金属粉体均经钝化处理而呈现钝化态;且基材所占的体积百分比为50...
  • 一种被动元件烧附自动摇料机,其包括接连续设置的上料装置、震动装置、升板装置、吸板装置、载台装置、推单板装置及推复板装置,并且包括一感应组件,其具有数个感应器分别设置于升板装置侧、输送带侧、单板载台上及复板载台上,借此设计,可对于被动元件...
  • 一种低温共烧微波介电陶瓷材料及其制备方法,其材料配比为:(1-x)Ba↓[5+y](Nb↓[1-k]Mn↓[k])↓[4]O↓[15]-xBa↓[1+z]Nb↓[2]O↓[6]并添加占整体材料的0.3~2.8wt%的助烧剂,助烧剂是氧化...
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