德州仪器公司专利技术

德州仪器公司共有560项专利

  • 确定模/数转换器的非线性度的方法及设备
    本发明涉及用以确定模/数转换器的非线性度的方法及设备。一种实例性设备包含:信号接口(202),其用以接收模/数转换器ADC(102)的输出,所述输出对应于发射到所述ADC(102)的周期性信号;信号变压器(204),其用以确定对应于所述...
  • 本申请案涉及一种嵌入式存储器测试系统。本发明涉及一种用于测试嵌入式存储器的可编程内建自测试pBIST系统,其中将所述受测试存储器并入于不与pBIST模块集成的多个子芯片中。在分布式数据记录架构中执行测试数据比较以使分布式数据记录器与所述...
  • 本申请案涉及芯片上机械应力感测的装置及方法。一种集成电路IC芯片(800)包含具有压电材料的衬底(402),压电材料具有与纵向于第一晶体轴[100]的第一方向(X轴)相关联的第一电阻率系数(πLONG)及与横向于第一晶体轴的第二方向(Y...
  • 一种装置(100)包含形成于衬底(302)上的晶体管。所述晶体管包含n型漏极接触层(312)、n型漏极层(314)、氧化物层(332)、p型主体区域(324)、p型端子区域(322)、主体沟槽(110)及端子沟槽(122)。所述n型漏极...
  • 本申请案涉及一种嵌入式存储器测试系统。本发明涉及一种用于测试嵌入式存储器的可编程内建自测试pBIST系统,其中将需要不同测试条件的多个存储器并入于SOC中。存储测试设置数据的pBIST只读存储器经组织以消除针对类似嵌入式存储器的测试设置...
  • 本申请案涉及振铃振幅测量及减轻。在一些实施例中,一种设备[100]包括分压器电路[90],分压器电路[90]包括多个串联连接的电容器[110、115]且包括电容器中的一者的经配置以从开关[140]接收第一电压的输入端子[108]及包括串...
  • 至少一些实例涉及一种系统(201),所述系统包含:放大器(204),其含有第一偏置电流源(300)并且经配置以在节点(214)处提供输出电压;增益级(206),其耦合到所述节点(214)并包含第二偏置电流源(302);以及缓冲级(208...
  • 在所描述的实例中,一种用于永久磁体同步电机PMSM的电机控制系统(800)使用两个线性霍耳装置(801、802)产生指示由一组转子(820)磁体产生的第一磁场分量的强度的第一信号并且同时产生指示由所述转子(820)磁体产生的大致正交于所...
  • 在所描述的实例中,用于LDPC解码的后处理电路包含:校验节点处理器(7‑3),其用于处理经移位的LLR值,以及硬决策解码器电路(7‑10),其用于接收经处理的LLR信息并对所述经处理的LLR信息执行奇偶校验。后处理控制电路(7‑9)控制...
  • 在用于产生数字输入DV到电力转换器系统(20)中的数/模转换器DAC(14)的控制逻辑(12)的所描述实例中,所述控制逻辑(12)响应于所要设定点(SETPT)的改变从在输出电压(Vo)的转变期间的多个回转速率当中进行选择,使得所述输出...
  • 在所描述实例中,具有有源离散电平环路滤波器电容器的环路滤波器(300)可用于VCO(例如用于CDR)中。在所描述实例中,通过感测输入环路滤波器电流(例如运用输入支路中的电流镜(312)及源极跟随器(M1))且迫使环路滤波器VCO控制电压...
  • 在用于提供振荡输出信号(vout)的压控振荡器VCO(30)的所描述实例中,所述VCO(30)包含第一电感器(I1),且所述振荡输出信号(vout)响应于通过所述第一电感器(I1)的变化电流。所述VCO(30)还包含:第二电感器(I2)...
  • 在所描述的实例中,一种零电压转变电路包含输入节点、输出节点、开关节点、耦合所述开关节点及输出节点的输出电感器、耦合所述输出节点及接地的输出电容器、耦合所述输入节点及开关节点的第一开关、耦合开关节点及接地的第二开关、将所述输入节点耦合到辅...
  • 在所描述实例中,一种光电探测器单元(100)包含具有半导体表面层(110)的衬底(105),和所述半导体表面层(110)中的沟槽(115)。所述沟槽(115)具有包含第一倾斜侧壁(115a)和第二倾斜侧壁(115b)的倾斜侧壁。pn结、...
  • 在所描述实例中,一种经竖直定向的BARITT二极管(108)形成在集成电路(100)中。所述BARITT二极管(108)具有:源极(126),其接近于所述集成电路(100)的衬底(102)的顶部表面;漂移区(128),其在所述衬底(10...
  • 在用于集成电路中的静电放电ESD管理的双极晶体管(200)的所描述实例中,所述双极晶体管(200)在被配置用于ESD保护的双极晶体管单元中实现垂直电流。所述双极晶体管(200)包括选择性嵌入P型浮动掩埋层PBL(230)。在ESD事件期...
  • 在所描述实例中,一种用于半导体系统的双引线框(100)包含:具有由第一间隙分离的第一金属区域的第一引线框(110),所述第一金属区域包含具有减小的厚度和选定第一位置中的接合供应品的部分;以及具有由第二间隙分离的第二金属区域的第二引线框(...
  • 在所描述的实例中,一种方法(400)包含将裸片附接材料施加到集成电路(410)的裸片垫。所述裸片附接材料用作到所述裸片垫的结合材料。所述方法(400)包含经由所述裸片附接材料(420)将集成电路裸片安装到所述集成电路的所述裸片垫。所述方...
  • 在所描述实例中,一种集成电路包含:底层金属几何结构(102);介电层(104),其在所述底层金属几何结构(102)上;触点开口,其贯穿所述介电层(104);上覆金属几何结构(110),其中所述上覆金属几何结构(110)的一部分填充所述触...
  • 在所描述实例中,一种制造用于族IIIA‑N晶体管的外延堆叠的方法(100)包含在沉积系统的沉积腔室中在衬底上沉积(102)至少一个族IIIA‑N缓冲层。随后将至少一个族IIIA‑N顶盖层沉积(103)于第一族IIIA‑N缓冲层上。在从所...
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