本申请涉及经校准成基于微机电系统MEMS谐振器的振荡器的振荡器。一种时钟电路(300)包含具有控制输入和第一时钟输出的压控振荡器VCO(212)。所述时钟电路(300)包含锁频回路FLL(320)，所述FLL具有FLL输入和控制输出，所...

本申请的实施例涉及磁通栅磁传感器。在一些实例中，一种设备(200)包括第一线圈(704)、第二线圈(204)、控制电路(706)和处理电路(104)。所述第二线圈磁耦合到所述第一线圈。所述控制电路具有耦合到所述第一线圈的信号输出，以及控...

本申请实施例涉及磁电流传感器校准。一实例中，校准方法包含从接近第一导体(120)的传感器(110)接收表示基于在第一导体(120)中流动的第一电流(140)和在第二导体(121)中流动的第二电流(141)产生的磁场的测量的传感器信号(b...

本申请涉及低电容ESD保护装置。提供用于高电压(例如，15kV、30kV)应用的低电容双向和单向静电放电ESD保护装置(300)的实例。此类装置(300)包含二极管(322、332)和经由其阳极耦合以形成NPN结构的齐纳二极管(326、...

本申请涉及一种用于DTC时序路径的确定性抖动补偿的方法和装置。在实例中，一种系统(100)包含耦合到低压差稳压器(102)的输出(120)的N分频器(104)。所述系统(100)还包含负载均衡电路(106)，所述负载均衡电路耦合到所述N...

本申请涉及用于功率级的回转速率控制。电路(100)包含半桥电路，其经配置以响应于相应高侧和低侧驱动信号而提供开关电压。高侧回转控制电路系统(120)经配置以响应于高侧启用信号和表示开关输出(VSW)处的回转速率的回转电流信号而提供高侧回...

一种补偿电路包含尾电流源(118)、误差放大器(102)、补偿电阻器(114)和电压电流转换器电路(106)。所述尾电流源(118)经配置以产生尾电流。所述误差放大器(102)耦合到所述尾电流源(118)且通过所述尾电流偏置。所述补偿电...

一种装置(100)包含具有金属化堆叠(120)的管芯。所述装置(100)包含具有位于所述金属化堆叠(120)下方的第一区(108)、第二区(112)和第三区(116)的衬底(104)，以及在所述衬底(104)的所述第一区(108)与所述...

传感器芯片包含传感器像素(220)。所述传感器像素(220)包含雪崩光电检测器(221)。电路(223)邻近于所述雪崩光电检测器(221)。所述电路(223)耦合到所述雪崩光电检测器(221)。隔离结构(222)至少部分地包围所述电路(...

一种电子装置(110)具有调制器电路(137)、脉冲调整电路(140)和脉冲发生器电路(150)。所述调制器电路(137)基于功率转换器(100)的所感测到的电感器电流信号(IL)、误差放大器输出电压信号(VEA)以及斜坡信号(VR)而...

一种电子器件(100)包括：半导体衬底(102)和半导体表面层(106)，该半导体衬底和该半导体表面层具有第一导电类型；以及掩埋层(104)；深沟槽结构(120)；以及浅沟槽隔离结构(110)，该半导体表面层在半导体衬底上方并且具有顶表...

在一个实例中，一种设备包括接口电路，其被配置成间歇地传输输出串行数据帧，所述输出串行数据帧包含状态阶段和数据阶段，后面跟着至少一个故障位(592)，其中所述至少一个故障位指示在所述输出串行数据帧的发送期间是否检测到故障。

一种电子器件(100)包括：半导体衬底(102)和半导体表面层(106)，该半导体衬底和该半导体表面层具有第一导电类型，该半导体表面层在半导体衬底上方并且具有顶表面；掩埋层(104)，该掩埋层具有相反的第二导电类型，处于半导体表面层与半...

所描述实施例包含一种电压调节器电路(302)，其包括第一比较器(320)，所述第一比较器具有耦合到波形输入源(VRAMP)的第一比较器输入、耦合到输出电压端子(370)的第二比较器输入，以及第一比较器输出。存在第二比较器(324)，所述...

提供了一种系统(500)。该系统通常包括第一处理器(506)，该第一处理器被配置为从红绿蓝红外(RGBIR)传感器(502)接收图像输入数据(504)。该系统的第一处理器被配置为从图像输入数据生成第一中间图像数据。该系统通常包括第二处理...

一种微机械谐振器管芯(700，图7)，包括：微机械谐振器管芯层(例如，702、704、706、708)；空腔(712)，该空腔形成在微机械谐振器管芯层(例如，702、704、706、708)中的至少一个层中；以及微机械谐振器(710)，...

所描述的实施例包含一种用于限制功率转换器输出纹波(400)的电路。第一晶体管(Q1)具有接收输入电压的第一晶体管电流端子以及耦合到第一电容器(CFLY1)的第二晶体管电流端子。第二晶体管(Q4)具有耦合到所述第一电容器的第三晶体管电流端...

在所描述的示例中，一种集成电路(IC)104包括：包含第一存储器109的矩阵乘法加速器108；第二存储器112；以及存储器控制器114。第二存储器112被配置为将具有多个行的输入特征图存储在存储器112的单行单元上，并且存储滤波器内核。...

本公开涉及用于改进微型电子装置的高电压击穿可靠性的结构和方法。一种用于改进微电子装置，例如电流数字隔离器的高压击穿可靠性的方法(200A)和结构涉及在高压隔离电容器的金属板拐角周围设置消除结构(214)以在装置的操作期间改善归因于介电不...

本申请涉及用飞行中预取服务于CPU需求请求。为高速缓存中的未命中的指令请求可能在高速缓存系统正服务于对相同指令的待决预取时发生。常规上，通过比较记分板中所有条目的请求地址来检测特定高速缓存危险。程序存储器控制器将所分配通道存储在所述记分...