本实用新型提供了一种晶圆清洗装置，包括承载盘，用于承载晶圆并带动所述晶圆旋转；以及喷嘴，用于向所述晶圆表面提供清洗液，以清洗所述晶圆，所述喷嘴在所述晶圆所在平面的正投影位于所述晶圆外部。所述喷嘴停止喷洒后喷嘴上存留的清洗液在滴落时不会滴...

一种晶圆断键强度的检测方法，检测方法包括：提供第一晶圆；对所述第一晶圆表面进行断键处理，使所述第一晶圆表面具有第一基团；在第一晶圆表面加入捕捉剂，使第一晶圆表面的第一基团和捕捉剂反应形成反应产物；对所述反应产物进行检测，得到所述反应产物...

本实用新型提供了一种去耦合等离子体处理设备，包括：上腔室，供反应气体通入其中以形成等离子体；下腔室，供晶圆容置其中；绝缘盖板，设置在上腔室和下腔室之间；微波发生装置，设置于所述绝缘盖板上方，并朝向所述下腔室发射微波，微波发生装置的设置能...

本实用新型提供了一种干法刻蚀设备，包括：静电吸盘，用于承托并吸附晶圆；以及导电环，设置于与所述静电吸盘的外周并接地；所述导电环设有若干沿高度方向贯通的第一通孔，第一通孔的设置，更利于干法刻蚀设备的反应腔室内气流的下排，进而改善了晶圆边缘...

本实用新型公开了一种化学机械研磨冷却装置，包括：研磨头；冷却水入口，所述冷却水入口从所述研磨头的上面中间接入；冷却水出口，所述冷却水出口从所述研磨头的上面中间接出；以及冷却水通路，所述冷却水通路紧邻研磨头的研磨面设置，所述冷却水通路与所...

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种研磨垫修整装置。所述研磨垫修整装置包括：第一修整盘，用于修整一研磨垫；第二修整盘，用于修整所述研磨垫，且环绕所述第一修整盘的外周设置；驱动结构，连接所述第一修整盘和所述第二修整盘，用于分别控...

本实用新型提供了一种部件松脱侦测装置，包括：设有大气压接收端和贴合面侦测端的刚性管路，大气压接收端的海拔高度高于贴合面侦测端的海拔高度；用于覆盖并密封贴合面侦测端的柔性的贴合面软片；容纳于管路内的液体，至少浸没贴合面侦测端，液面位置位于...

本实用新型提供了一种化学机械研磨设备，包括：研磨头，用于固定晶圆；研磨台，与所述研磨头面向设置，以及所述研磨台靠近所述研磨头的一侧固定有研磨垫，所述研磨台用于带动所述研磨垫旋转以研磨固定在所述研磨头上的晶圆；研磨液供给装置，用于向所述研...

本实用新型提供了一种清洁装置及离子植入设备，所述清洁装置包括刷子、控制模块和用于固定所述刷子的基座，所述控制模块用于控制所述基座带动所述刷子在所述磁分析器单元的腔室内移动，以使所述刷子与所述腔室的内壁相抵触并擦拭所述腔室的内壁。本实用新...

本实用新型公开了一种自动清理水槽中粉尘颗粒的尾气处理设备，包括：水槽，带有粉尘颗粒的水在水槽中；水泵，所述水泵与所述水槽的排水口相连；以及水旋器，所述水旋器与所述水泵的另一端相连，所述水泵将水槽中带有粉尘颗粒的水排入水旋器的入口，水旋器...

本实用新型提供了一种研磨液过滤装置，所述装置包括：研磨液过滤器，用于过滤研磨液；设置在所述研磨液过滤器外壁的超声波发生器，用于发射超声波，以去除附着在所述研磨液过滤器内壁的气泡。本实用新型提供的研磨液过滤装置可以确保CMP工艺的稳定性。

本实用新型提供了一种晶圆承载装置及半导体设备，包括承载部，用于承载晶圆；以及，喷淋结构，位于所述承载部上，用于向所述承载部中的晶圆喷淋液体，以冲洗所述晶圆。本实用新型提供的晶圆承载装置，当由于机器故障而导致晶圆长时间停留在所述承载部时，...

本实用新型提供的一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备，静电吸盘组件包括：静电吸盘，用于安装待蚀刻的晶圆；接地挂环，接地挂环套设在静电吸盘的外侧；基座，静电吸盘和接地挂环设置在基座上；其中，接地挂环包括外壁，基座和静电吸盘暴露出外壁，外壁上...

本实用新型涉及一种晶片纠偏装置，包括：致动器，其被配置为致使推杆水平移动；导轨，其被配置为引导推杆的支承体水平地滑动；以及推杆，其具有：推杆主体，其被构造为狭长形；支承体，其与推杆主体连接并且能够在导轨上滑动，其中所述支承体能够通过传动...

本实用新型涉及一种用于金属刻蚀机的上部腔体的测漏装置和金属刻蚀机。其中，所述用于金属刻蚀机的上部腔体的测漏装置，其特征在于，包括：主体，其被构造为能够覆盖上部腔体的开口；以及第一凸起部，其布置在主体上，所述凸起部被构造为能够与上部腔体的...

本实用新型公开了一种提高离子源气体解离效率的起弧室，其特征在于，包括：设置在起弧室一端的发射极；覆盖发射极的阴极；设置在起弧室另一端的发射极；以及设置在所述起弧室外壁上的加热装置。

本实用新型涉及一种用于电镀设备的电镀溶液输入装置，其特征在于，包括：电镀溶液进口，其被配置为输入电镀溶液；第一电镀溶液管道，其与电镀溶液进口连通以用于引导电镀溶液；以及第一组多个电镀溶液输入口，其与第一电镀溶液管道连通以用于将电镀溶液从...

该实用新型涉及一种晶圆电镀设备，包括：电镀槽，用于放置电镀期间所需的电镀液，且所述电镀槽的内表面含有一电镀阳极；晶圆放置台，用于放置待进行电镀的晶圆，且所述晶圆放置台设置有镂空区域，用于将所述晶圆的电镀面暴露于所述电镀槽内的电镀液；离子...

本实用新型提供一种晶圆电镀装置，包括：腔体、高电阻虚拟阳极及阳极电极，所述高电阻虚拟阳极沿所述腔体的径向设置，所述高电阻虚拟阳极内具有一容置腔，所述高电阻虚拟阳极沿所述腔体轴向的第一表面和第二表面均呈外凸的弧形，所述第一表面具有第一通孔...

该实用新型涉及一种膜层沉积设备，包括：腔室；晶圆放置位，设置于腔室内；泵口，设置于腔室内，位于晶圆放置位旁，连通至泵，用于抽取腔室内的气体；泵罩，罩设于泵口，且泵罩顶面密封，侧面设置有通孔，泵通过通孔抽取腔室内的气体。由于在腔室内的泵口...