德淮半导体有限公司专利技术

德淮半导体有限公司共有570项专利

  • 本实用新型提供了一种自清扫真空管路系统,包括:真空泵、真空管路、第一开关、清洗气体供给源、清洗管路、第二开关、真空控制装置及清洗控制装置。本实用新型可实现对真空管路的定期自清扫,避免了真空管路因颗粒物累积而堵塞,防止设备因真空管路中颗粒...
  • 本实用新型提供一种IPA补给系统包括:第一储液罐,所述第一储液罐与机台相连接,用于向所述机台供应IPA溶液;第二储液罐,所述第二储液罐位于所述第一储液罐的上方,所述第二储液罐与加料装置相连接,用于为所述第一储液罐储备所述IPA溶液;控制...
  • 本实用新型提供一种封装芯片测试加热装置,包括插座,封装芯片设置于插座内部,并与插座电性连接;电路板,设置于插座的下面,并与插座电性连接;导热基板,与插座接触,并固定于电路板的上表面;加热电阻,设置于导热基板内;控制加热电阻的电源通断的控...
  • 一种半导体装置及其工作方法,其中,半导体装置包括:腔室,所述腔室内用于放置第一待处理基底;耦合于腔室的发生单元,用于向腔室内输入反应物,所述反应物用于对第一待处理基底进行工艺处理;探测装置,用于探测腔室内的第一光强;控制单元,用于在第一...
  • 本公开涉及图像传感器以及生成图像的方法。一种图像传感器,包括:白色像素,用于接收入射光并产生白色信号;以及彩色像素,用于接收入射光并产生彩色信号,其中,每个彩色像素与至少6个白色像素相邻。
  • 本公开涉及图像传感器及其制造方法、成像方法以及成像设备。该图像传感器包括:多个像素单元,每个像素单元包括一个或多个第一子像素以及一个或多个第二子像素,其中,第二子像素包括布置在光敏元件上方的偏振元件,该偏振元件具有偏振轴,并且该偏振元件...
  • 本公开涉及图像传感器、制作方法以及成像装置。一种图像传感器包括:衬底,包括逻辑区和像素区,所述逻辑区用于在其中形成有源逻辑器件的至少一部分,所述像素区用于在其中形成像素单元,所述像素单元至少包括感光元件,其中,所述逻辑区的上表面低于所述...
  • 本公开涉及像素单元、图像传感器及其制造方法。根据本公开的一个方面,提供了一种像素单元,所述像素单元形成在半导体衬底中,所述像素单元包括:光电二极管,能够响应于入射光而生成电荷;浮动扩散部,位于光电二极管的至少一部分之上;以及势垒区,位于...
  • 一种相位对焦图像传感器及其形成方法,图像传感器包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括相位对焦区,所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面;位于半导体衬底相位对焦区内的第一感光结构,所述第一感光结构包括相对的第一表面和第二表面,所述第一感光结...
  • 本公开涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括:逻辑芯片;第一感测芯片,位于逻辑芯片的第一侧,并且配置为感测从半导体装置的外部向第一侧入射的辐射;以及第二感测芯片,位于逻辑芯片的与第一侧相对的第二侧,并且配置为感测从半导体装置的外部...
  • 本公开涉及图像传感器及其制造方法。该用于制造图像传感器的方法,包括:提供衬底,所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;在所述衬底的第一表面上形成碳化硅层;在所述碳化硅层的远离所述衬底的一侧上形成半导体层;在所述半导体层中形成...
  • 本公开涉及制造半导体装置的方法。所述方法包括:提供衬底,所述衬底之上形成有第一电介质层以及形成在所述第一电介质层中的第一金属层;在所述第一电介质层和所述第一金属层上形成第二电介质层;在所述第二电介质层中形成通孔和沟槽,其中,所述沟槽的部...
  • 一种半导体装置及其工作方法,其中,半导体装置,包括:腔室;位于腔室内的部件;位于所述部件内的第一液管,所述第一液管内用于通入冷却液;第一振动装置,用于振动所述第一液管。利用所述半导体装置能够防止第一液管被堵塞。
  • 本发明技术方案公开了半导体器件及其制造方法,其中制造方法,包括:提供基底;在所述基底上形成金属氧化物层;刻蚀所述金属氧化物层及所述半导体衬底,形成沟槽;在所述金属氧化物层上形成金属层,所述金属层填充满所述沟槽;去除所述金属氧化物层表面的...
  • 本公开涉及一种形成图像传感器的方法,包括:在沟槽中形成覆盖所述沟槽的壁的掺杂层,所述掺杂层具有P型掺杂剂,并且所述掺杂层中的P型掺杂剂的浓度高于所述沟槽周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度;在所述半导体衬底之上形成导热层,所述...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种用于形成图像传感器的方法及图像传感器,通过在第一衬底、第二衬底之间形成至少两个的感光层,感光层吸收不同波长的光并激发光电子,并对应光电子产生的区域进行信号收集并处理,从而省去滤色镜结构,简化工艺流程。
  • 本发明技术方案公开了一种沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺。所述沟槽隔离结构的形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有研磨停止层;依次刻蚀所述研磨停止层和半导体衬底,在所述研磨停止层和半导体衬底内形成沟槽;采用原子层沉...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理装置。所述晶圆处理装置包括用于承载晶圆的基座以及嵌套于所述基座中的轴承;所述基座与所述轴承接触的第一表面具有第一连接结构,所述轴承与所述基座接触的第二表面具有与所述第一连接结构匹配的第二...
  • 一种半导体工艺装置及其工作方法,其中,半导体工艺装置包括:腔室,所述腔室具有进气口,所述进气口用于向腔室内输入反应气体;感温元件,位于腔室外,用于检测腔室内热辐射信息;控制单元,用于获取所述腔室内热辐射信息,并在腔室内热辐射信息与腔室材...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体衬底的制备方法及半导体衬底。所述半导体衬底的制备方法包括如下步骤:提供第一衬底;形成极性层于所述第一衬底表面,所述极性层用于吸收微波能量并将其转化为热能;形成第二衬底于所述极性层表面,所述...
1 2 3 4 5 6 7 8 尾页