本申请涉及一种发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法。其中，发光二极管芯片包括依次叠层设置的反射层、牺牲层、衬底、N半导体层、发光层和P半导体层。所述牺牲层包括叠层设置的第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层设置于所述反射层...

本发明涉及一种LED高压芯片及其制备方法、隔离槽的制作方法。所述隔离槽的制作方法包括：提供包括衬底以及设置于衬底上的发光半导体层的LED芯片主体；在发光半导体层上形成设有贯穿的第一开口的第一阻挡层和设有贯穿的第二开口的第二阻挡层，第一开...

本申请提供一种倒装发光二极管芯片。所述倒装发光二极管芯片从发光层出射的光，一部分直接射出所述衬底。一部分射向电流扩展层，经过反射层反射后射出所述衬底。由于光线在射出所述衬底时容易发生全反射，此部分光有机会经过所述反射层而后射出所述衬底。...

本申请提供一种倒装发光二极管芯片，在倒装发光二极管芯片的四周边缘位置设置N型金属电极层，在倒装发光二极管芯片中间部分设置P型金属电极层。即使倒装发光二极管芯片边缘的绝缘层破损，出现锡膏与P或N极连接，也不会导致P型金属电极层与N型金属电...

本申请涉及一种发光二极管芯片及发光二极管。其中，发光二极管芯片包括依次叠层设置的反射层、牺牲层、衬底、N半导体层、发光层和P半导体层。所述牺牲层包括叠层设置的第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层设置于所述反射层和所述第二牺牲层之间，所...

本申请提供一种倒装发光二极管芯片。所述倒装发光二极管芯片从发光层出射的光，一部分直接射出所述衬底。一部分射向电流扩展层，经过反射层反射后射出所述衬底。由于光线在射出所述衬底时容易发生全反射，此部分光有机会经过所述反射层而后射出所述衬底。...

本申请提供一种倒装发光二极管芯片，每个焊料凸点远离衬底的表面为平面，可以使得在焊接时增加焊料凸点的接头接触面积。从而使得接头的接触面增加，形成牢固的焊接接头，来提高作业精度，提高了产品良率，节约了成本。同时，P电极包括至少一层凸点下金属...

本申请提供一种倒装发光二极管芯片。分布式布拉格反射层将透明导电层边缘、P型半导体层边缘和发光层边缘覆盖，并露出N型半导体台阶中间部分和透明导电层中间部分。N型金属电极层延伸至N型半导体台阶边缘，发光层、P型半导体层以及透明导电层设置于倒...

本申请提供一种发光二极管芯片，光经过设置有不同折射率的反射结构时，多个第一薄膜与第二薄膜反射回的光因相位角的改变而进行干涉，互相结合在一起，获得强烈反射光。从而反射光从第一表面返回，并通过多个间隔设置的反射结构反射进行光路的改变，使得光...

本申请提供一种发光二极管芯片，衬底的第一表面远离边缘位置图案化设置有凸起结构，也就是说，隔离槽位置处的衬底的表面没有设置凸起结构。由于反射层设置于隔离槽位置，且反射层具有很强的反射能力，可以使得发出的光反射，并从衬底的出光面发出。然而，...

本申请提供一种发光二极管芯片，通过将多个第一孔洞设置于靠近N电极的电流疏散位置，可以减少电流扩展层的吸光，并且不会引入电流注入的阻力导致的电压升高问题，避免了电压升高产生的影响。通过将多个第一孔洞设置于靠近N电极的电流聚集位置，能够分散...

本实用新型涉及一种背光源和液晶显示器。该背光源包括：电路基板、多个LED芯片和第一硅胶层；所述多个LED芯片固晶在所述电路基板上，所述第一硅胶层涂敷在所述电路基板上并包裹所述多个LED芯片，第一硅胶层使得从LED芯片发出的光更发散，增加...

本实用新型涉及一种LED芯片，包括衬底以及设置于所述衬底上的发光半导体单元，所述发光半导体单元包括N型半导体层、发光层、P型半导体层、多条P型电极线以及多条N型电极线，所述P型电极线连接于所述P型半导体层，所述N型电极线连接于所述N型半...

本申请涉及一种发光二极管芯片及发光二极管，发光二极管芯片包括依次层叠设置的发光二极管晶圆、电流扩展层和电流阻挡层。其中，所述发光二极管晶圆开设有台阶；所述发光二极管芯片还包括P电极和N电极，所述P电极设置于所述电流扩展层，所述N电极设置...

本申请提供一种LED芯片。该LED芯片包括：自下而上设置的衬底、N半导体层、发光层、P半导体层，以及经刻蚀P半导体层、发光层和N半导体层形成的与N半导体层接触的N台阶，N台阶的表面生长有包含第一金手指的N电极；N电极的第一金手指上表面自...

本申请提供一种倒装发光二极管芯片和倒装发光二极管芯片制作方法，在倒装发光二极管芯片的四周边缘位置设置N型金属电极层，在倒装发光二极管芯片中间部分设置P型金属电极层。即使倒装发光二极管芯片边缘的绝缘层破损，出现锡膏与P或N极连接，也不会导...

本申请提供一种倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制作方法。每个焊料凸点远离衬底的表面为平面，可以使得在焊接时增加焊料凸点的接头接触面积。从而使得接头的接触面增加，形成牢固的焊接接头，来提高作业精度，提高了产品良率，节约了成本。同时...

本申请提供一种倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制备方法。N型金属电极层延伸至N型半导体台阶边缘。发光层、P型半导体层以及透明导电层设置于倒装发光二极管芯片的中间部分，使得Mesa台阶(量子阱)远离芯片边缘。即使当倒装发光二极管芯...

本申请提供一种发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片，通过所述发光二极管芯片的制备方法对所述电流扩展层低温氮气退火及高温氮气快速退火两次退火，实现对所述电流扩展层结构的改善及与所述P型半导体层的欧姆接触。所述电流扩展层的优化降低了所述...

本申请提供一种发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片，当所述侧壁具有多个所述斜面时，所述侧壁的面积越大，从而所述侧壁面出光就会越多。同时，当所述侧壁具有多个所述斜面时，内部光入射到所述侧壁上的夹角就会越多，会增加取光，提高发光二极管芯...