本技术公开了一种兼容多尺寸石墨托盘的泡酸载具，包括：上层第一承载机构以及下层第二承载机构，所述上层第一承载机构包括中空的圆盘以及支撑所述圆盘的第一支撑柱；下层第二承载机构包括圆环、设在所述圆环上用于承载石墨托盘的多个滑块；所述滑块上设有...

本技术公开了一种SiC MOSFET沟道型器件，属于半导体技术领域，包括多个并联的MOSFET管，SiC MOSFET器件的沟道区域为三维垂直结构。本技术将SiC MOSFET器件的沟道区域由现有水平面的排列结构，重新设计为垂直结构，J...

本技术公开了一种带绑扎功能的电缆桥架，属于电力工控领域，包括电缆桥架本体，电缆桥架本体上设有固定电缆的扎带，电缆桥架本体上还设有自转辊轴。在电缆桥架上设置扎带，该扎带能够一次性实现多电缆与桥架的固定，保证了电缆固定的稳固性，提高了电缆桥...

本发明公开了一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法，针对于栅极刻蚀，包括以下步骤：在碳化硅衬底上涂布电子束光刻胶层，所述电子束光刻胶层采用ZEP520A‑7；降低电子束光刻胶层厚度，使得图形的光刻胶层的厚度于关键尺寸小于3:1；在光刻胶层...

本发明公开了一种MPW晶圆外观缺陷的AOI检测方法，属于晶圆检测技术领域，包括在晶圆内选取并定义AOI检验模型，尤其是MPW晶圆AOI检验模型的选取及定义策略；在晶圆内Die的查找及对准，尤其是MPW晶圆Die的查找及对准策略；生成MA...

本技术公开了一种碳化硅肖特基二极管器件，属于半导体器件领域，包括欧姆金属层，欧姆金属层上设有N型基板，N型基板上设有外延层，外延层上端设有多个正方形或正N边形的P<supgt;+</supgt;区，P<supgt;+&...

本发明公开了一种高图形结构晶圆的临时键合方法、加工方法及结构，属于半导体制造技术领域，方法包括：在完成正面工艺制程、表面具有高图形结构的晶圆上多次涂覆键合胶，和/或，在用于临时键合的载板上多次涂覆键合胶，多次键合胶涂覆的烘烤温度由高到低...

本技术公开了一种SiC MOSFET器件，属于半导体技术领域，器件包括多个并联的MOSFET管，所述MOSFET管的栅极为方形矩阵列式，所述器件的沟道区域包括垂直和水平交叉结构。该结构提升MOSFET器件沟道的面积，增加器件栅极开关可控...

本发明公开了一种晶圆载盘的设计方法，属于半导体集成电路制造领域，包括：将载盘整体设计成圆形，在一个外围大盘的承载面上开设多个凹槽，在所述凹槽中镶嵌安装有用于承载晶圆的小盘；在每个所述小盘与大盘连接的位置处设有用于取放晶圆的平台缺口；其中...

本发明公开了一种基于

本实用新型公开了一种大幅提高设备稼动率的晶圆传送装置和系统，装置包括：底座；竖向或斜向设置的支撑架，设置在底座上；支撑架设置为一个；多个设置在支撑架上的承载组件，承载组件均包括：平台支架，平台支架的一端与支撑架连接，平台支架两端具有一定...

本实用新型公开了一种结构稳定的晶圆传送装置和系统，装置包括：底座；竖向设置的支撑架，设置在底座上；所述支撑架设置为两个，分别对向设置于底座的两侧；多组对向设置在支撑架上的承载组件，每个承载组件均包括：平台支架，平台支架的一端与支撑架连接...

本实用新型公开了一种用于晶圆盒传输的防抖型手推车，属于半导体设备技术领域，包括车体；车体内设有置物台，置物台上设有用于固定晶圆盒的卡紧结构，置物台下方设有减震件，或，置物台下方以及车体底部均设有减震件，置物台下方的减震件与晶圆盒连接

本发明公开了一种集成电路制造中砷化镓晶圆加工方法，属于半导体制造技术领域，主要包括：物理减薄及表面处理，其中，所述物理减薄包括：对砷化镓晶圆进行机械研磨，所述机械研磨过程中依次进行砂轮切入

本实用新型公开了一种兼容不同尺寸晶圆的晶圆载具，包括基座，所述基座上环设有多个滑动组件，每一个滑动组件上对应设置有一个晶圆承载机构，所述基座的轴心处设有驱动所述滑动组件以基座的轴心为轴径向滑动的驱动组件。本实用新型的载具能够使旋转式制程...

本发明公开了一种泡酸载具的制造方法，包括：将泡酸载具设计成上下镂空结构，其上层为第一承载机构，下层为第二承载机构，所述第二承载机构用于承载石墨托盘，所述第一承载机构形成夹具的外围支撑并给所述第二承载机构做连接；在所述第二承载机构与所述石...

本实用新型公开了一种安全可靠的晶圆夹具，设置于工艺腔体内部，并设置于静电吸附盘上方；包括外环固定片和内环压片，所述内环压片通过螺纹结构连接在外环固定片上方，所述外环固定片通过螺纹结构与工艺腔体内壁连接；其中：外环固定片的内环直径大于静电...

本实用新型公开了一种去胶机晶圆载盘，包括多个设置于盘体上的晶圆凹槽，所述晶圆凹槽的形状适配晶圆形状，晶圆凹槽的深度大于晶圆的深度，每个晶圆凹槽外圈均设置有缺口；所述晶圆凹槽底部为十字网格线槽，且每个晶圆凹槽底部设置有三针升降孔。本实用新...

本实用新型公开了一种用于真空蒸发镀膜的镀料坩埚，所述坩埚包括坩埚本体和连接在所述坩埚本体正上方的外延结构，所述外延结构为标准圆柱形。坩埚本体与传统坩埚外形一致，坩埚本体上方的外延结构采用标准圆柱状，对蒸镀出的镀料原子或分子的方向做出选择...

本实用新型公开了一种降低晶圆运输过程中碎边与碎片风险的晶圆盒，属于半导体设备技术领域，晶圆盒本体内设有承载晶圆的腔体；晶圆盒本体两侧均开设有竖直盲槽，盲槽内均设有缓冲杆，缓冲杆顶部均经弹性件与晶圆盒本体连接，腔体上方或下方左右两侧分别开...