基片对齐器提供了最小的基片运输器延伸和收回运动以快速地对齐基片而不损坏背侧，同时增加了基片处理的生产能力。在一个实施例中，对齐器具有连接到框架的倒转卡盘，带有能将基片从卡盘传递到运输器的基片传递系统而不旋转地再定位基片。倒转卡盘消除了对...

测量仪器具有处理器、第一传感器和第二传感器。处理器适于输出测量信号，该测量信号包含物理量的测量。第一传感器和第二传感器连接到处理器并且可操作成分别生成物理量的第一和第二测量。处理器定义第一测量范围，在第一测量范围内，测量信号取决于第一测...

一种基片传送装置包含一种具有至少一个传动轴的传动部分以及至少两个ＳＣＡＲＡ手臂，该手臂可操作性得与至少一个传动轴相耦合，此至少一个的传动轴是至少两个的ＳＣＡＲＡ手臂的一种共用传动轴，影响至少两个的ＳＣＡＲＡ手臂的延伸和收缩，其中这至少两...

装置，它具有： 一个设有一个孔眼和一个装在所说孔眼上的带盖的管状件的真空室，该管状件包括一个第一驱动壳体和一个第二驱动壳体； 一根用轴承装在所说第一驱动壳体上内侧的外轴； 一根设在所说外轴内并与它同心的内轴，该内轴同轴...

基片对齐器提供了最小的基片运输器延伸和收回运动以快速地对齐基片而不损坏背侧，同时增加了基片处理的生产能力。在一个实施例中，对齐器具有连接到框架的倒转卡盘，带有能将基片从卡盘传递到运输器的基片传递系统而不旋转地再定位基片。倒转卡盘消除了对...

提供了基片处理装备。该装备具有壳体、下部口接口和运载器保持站。壳体在其内部具有用于处理基片的处理设备。装载口接口连接到壳体以将基片装载到处理设备内。运载器保持站连接到壳体。运载器保持站适用于在装载口接口处保持至少一个基片传送运载器。运载...

衬底处理装置具有腔室、大致线性的处理模块阵列、衬底输送装置和驱动系统。所述腔室能够与外部气氛隔离开。各个处理模块阵列可连通地连接在腔室上，以容许在腔室和处理模块之间传递衬底。衬底输送装置定位在腔室中，并可移动地受到腔室的支撑。输送装置能...

桥接腔室形成在相邻衬底处理工作站系统之间，并通过在相邻衬底处理工作站系统中形成的端口连接。使用传输机构将衬底移动到桥接腔室中或者移出桥接腔室以旁路掉初级传输系统。

一种衬底处理设备设有衬底输送设备。该输送设备用于该处理设备的自动化对准。在一个方面，输送设备上的直通波束传感器被用于调平处理设备的部件。在另一个方面，输送设备上的直通波束传感器被用于确定衬底台站在平面内的位置和角度方位。在另一个方面，输...

一种半导体工件处理系统，其具有用于处理工件的至少一个处理装置、主输送系统、辅输送系统以及主输送系统和辅输送系统之间的一个或多个界面。主输送系统和辅输送系统各自具有一个或多个大致恒速的段以及与恒速段连通的排队段。

为单或多臂机器人操纵器的简单和混合运动提供可靠和数值上高效地生成易于跟踪或连续加速度分布图的时间上最优轨迹的系统，这种运动例如是沿直线的伸展和退缩运动或沿圆弧的旋转运动，并带有速度、加速度、跳动及跳动率的限制，其中单臂机器人沿直线运动形...

一种系统可以包括四种功能：数据采集功能（１０５）、预处理功能（１１０）、分析功能（１１５）和推理功能（１２０）。另外，功能（１０５）、（１１０）、（１１５）和（１２０）的操作可以由健康监测和故障诊断管理器（１３０）来协调。四个功能（１０...

一种用于控制制造加工的自动逐次运行控制器，该控制器包含一套加工工具，一套在加工工具上进行计量测量的计量工具，和一个管理、控制加工工具的监控站。监控站包含一个接口，用于接收计量工具测量的数据；和一系列可变参数表，每一个可变参数表用于一个加...

系统（１０）具有状态观测器（２６）和校正器滤波器（１８），其中系统用于从动力系统（１２）的输出信号中抽取信号分量。状态观测器用于跟踪动力系统输出信号中表示主要动力的信号分量，并提供表示动力系统输出信号中估算信号分量的估算信号。校正器滤波...

一种控制系统包括：群集体系结构，其具有主控制器；中央控制部分，其包括处在该主控制器的直接控制下的一个或多个第一遥控器；以及分布式控制部分，其包括由该主控制器控制的群集控制器。该群集控制器控制一个或多个第二遥控器的活动。所述各第一和第二遥...

一种感测物体的传感器系统，包括：由三块板，即接地底板、感测板和屏蔽板组合的组件，采用该组件以便在待测物件靠近所述板时与该物件配合产生一电容，该电容随着所述物件的靠近而变化；一振荡器，其频率为所述电容的函数；一段三轴电缆，其中心导体与所述...

一种用于改变一大体上为平面状的基片的温度的装置，此装置包括： 一腔室； 一盘，位于腔室之中，此盘具有一顶面，沿顶面带有一些槽沟，此顶面具有一在其上支承一基片的装置，在基片与顶面之间具有一微小间隙； 一种装置，用于把某种...

一种具有除霜供应回路（１７６，１７８，１８０）和除霜返回旁通回路（１８６，１８８，１９０）的深度低温制冷系统（１００）的加热／除霜结构，以优化该加热／除霜循环，和防止其制冷过程过载（过压）以及保护部件免于破坏性的温度。当需要时该除霜循环...

通过采用受控的旁路流动的方式来防止制冷剂发生冻结，受控的旁路流动使制冷系统（１００）中最低温度的制冷剂升温，制冷系统（１００）则是通过采用具有如下特点的制冷剂混合物来达到超低温的，该制冷剂混合物至少包括两种沸点温度至少相差５０℃的制冷剂...

采用一种新的混合物来代替含有ＨＣＦＣ的制冷剂，这种新的混合物采用Ｒ－２３６ｆａ和Ｒ－１２５、或带有Ｒ－２４５ｆａ的Ｒ－１２５、或Ｒ－２３６ｆａ、或者带有Ｒ－２３６ｆａ的Ｒ－１３４ａ来替代ＨＣＦＣ。不需要改变硬件或油组成成分就可以大致维持...