北京京存技术有限公司专利技术

北京京存技术有限公司共有59项专利

  • 本发明实施例提供了一种非易失性存储器的编程方法及装置,涉及存储器技术领域。本发明实施例将静态随机存储器中的待编程数据与非易失性存储器中的数据信息进行第一校验,并将第一校验结果回写至静态随机存储器内,对第一校验中校验失败的数据信息进行编程...
  • 本实用新型公开了一种EMMC测试装置,所述装置包括:主机、EMMC电压控制器、EMMC芯片以及EMMC控制器;其中,主机用于向EMMC电压控制器发送电压范围控制指令;EMMC电压控制器用于根据主机发送的电压范围控制指令输出目标测试电压至...
  • 本发明实施例公开了一种EMMC调试方法和EMMC,EMMC包括固件。所述EMMC调试方法包括:固件接收来自EMMC串口的调试命令和参数;固件中的调试程序解析所述调试命令和参数,按照调试命令和参数执行,并将执行结果通过所述串口输出。本发明...
  • 本发明实施例公开了一种基于NAND flash的有效数据查找方法和NAND flash存储设备。该方法包括:根据数据块中存储的反向映射表,获取数据块中存储的目标数据的物理地址与逻辑地址的反向映射关系;根据反向映射关系,从映射表块存储的正...
  • 本发明实施例公开了一种用于NAND flash存储设备的数据处理方法、NAND flash存储设备,其中,方法包括:在存储设备空闲时,检测存储器的数据块中的数据是否达到数据更新阈值;当检测出有数据块中存储的数据达到所述数据更新阈值时,将...
  • 本发明实施例公开了一种NAND flash存储设备的测试系统。所述NAND flash存储设备的测试系统包括上位机、测试板和待测存储设备,其中,所述上位机通过串口与所述测试板连接,所述测试板还通过特定接口与待测存储设备连接。本发明实施例...
  • 本发明实施例公开了一种基于NAND flash的故障排除方法和装置。其中,基于NAND flash的故障排除方法包括:读取程序更新参数,所述程序更新参数表示只更新所述代码块;根据所述程序更新参数对所述代码块中的固件程序进行更新,更新后的...
  • 本发明实施例公开了一种基于NAND flash的掉电保护方法,所述NAND flash包括MLC块和SLC块,所述MLC块的数据页包括MSB页和与其对应的LSB页,所述方法包括:执行对MLC块的写命令第一个写动作之前,判断当前待写数据页...
  • 本发明实施例公开了一种基于NAND flash的超级数据块处理方法和装置,其中,所述方法包括检测所述超级数据块中是否存在坏块;当检测出存在坏块时,按照预设规则,从所述零散数据块池中获取目标零散数据块,用目标零散数据块替换所述坏块;记录所...
  • 本发明实施例公开了一种基于NAND flash的数据块处理方法,应用于NAND flash存储设备,所述存储设备包括至少一个数据块,每个数据块包括至少一个数据页,所述方法包括:检测目标数据块是否写满;当检测出目标数据块未写满时,检测目标...
  • 本发明实施例公开了一种基于NAND flash的映射表数据更新方法和装置,其中,基于NAND flash的映射表数据更新方法包括:建立更新起始标志和更新结束标志,并在存储设备重启后,根据更新结束标志的存在与否,完善数据更新的相关操作。本...
  • 本发明实施例公开了一种基于NAND flash的读错误处理方法和装置,应用于NAND flash存储设备,所述NAND flash存储设备包括至少一个NAND flash单元,每个NAND flash单元包括至少一个数据块,每个数据块包...
  • 本发明实施例公开了一种基于NAND flash的数据处理方法及装置,该方法包括:获取至少两个清理数据任务块和至少两个磨损均衡任务块,其中,所述清理数据任务块和磨损均衡任务块是根据清理数据任务和磨损均衡任务分别切分得到;检测所述存储设备的...
  • 本发明实施例提供了一种测试方法及装置,所述方法包括:将生成的测试指令设置在存储区;当所述存储区存储的测试指令满足预设条件时,向可编程器件发送通知指令;其中,所述通知指令用于通知所述可编程器件从所述存储区获取测试指令后,发送所述测试指令至...
  • 本发明提供了一种基于EMMC的数据存储方法。其中,所述方法包括:EMMC前端层接收主机的数据写入请求,对所述写入请求对应的原始数据,进行压缩,并将压缩得到的压缩数据流发送至EMMC中间层;所述EMMC中间层将所述压缩数据流作为待存储数据...
  • 一种NAND闪存芯片的测试样本
    本发明实施例公开了一种NAND闪存芯片的测试样本,其中,所述测试样本包括多个相同的样本区域,每个样本区域包括多个相邻的数据块,所述多个相邻的数据块用于进行不同擦写次数的测试;所述多个相同的样本区域中,任意两个相邻的样本区域之间间隔预设数...
  • 基于ECC的NAND数据Read Retry纠错方法和NAND控制器
    本发明实施例公开了基于ECC的NAND数据Read Retry纠错方法和NAND控制器,方法包括:a读取目标数据帧和其相邻的可纠错数据帧,记录可纠错数据帧的ECC纠错的第一错误比特值,目标数据帧为ECC不能纠错数据帧,可纠错数据帧为EC...
  • 芯片信息查询方法、装置、设备及存储介质
    本发明实施例公开了一种芯片信息查询方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:建立每个标识码类型的每个号码位段内的所有号码与芯片信息的对应关系,所述号码位段为所述号码在所述标识码中的位置;获取芯片的标识码,并根据所述标识码确定所述标识码类型...
  • EMMC初始化方法和装置
    本发明实施例公开了一种EMMC初始化方法及装置,该方法包括:获取EMMC断电指令;根据所述断电指令,将EMMC当前的状态数据存储到EMMC的SLC存储单元;所述EMMC上电后,读取所述SLC存储单元中的状态数据,并根据所述状态数据进行初...
  • 芯片标识码的确定方法、装置、设备及存储介质
    本发明实施例公开了一种芯片标识码的确定方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:建立多个方面的芯片信息的组合与标识码类型的对应关系,以及芯片信息与所述标识码类型的号码位段和所述号码位段的号码的对应关系,其中,所述号码位段为所述号码在所述标...