半导体元件工业有限责任公司专利技术

半导体元件工业有限责任公司共有1655项专利

  • 本发明涉及一种驱动器、功率转换器及用于保护氮化镓(GaN)晶体管的方法。该驱动器包括电压调节器和高侧驱动器。该电压调节器在其第一端子和第二端子之间提供启动电压,该启动电压在GaN晶体管的整个活动时间内在所述GaN晶体管的导通电压以及所述...
  • 本公开涉及利用引线插入进行引线壁接合的引线框安装。本发明公开一种半导体器件封装,其可以包括具有绝缘层的基底,该绝缘层具有在其上形成的图案化导电层,该图案化导电层至少包括第一图案部分和第二图案部分。该半导体器件封装可以包括具有引线的引线框...
  • 本公开涉及一种用于增加运算放大器的转换速率的电路和方法。本文所述的技术涉及一种电路,该电路包括运算放大器,该运算放大器包括差分放大器、电容器和输出级。该差分放大器包括第一输入和第二输入。该输出级被配置为生成输出电压。该电路包括连接到该运...
  • 本公开涉及用于提供频率相关的接地故障电路中断的电路和方法。示例性的GFCI设备和方法保持安全性,同时降低不必要中断的风险。一种示例性的GFCI电路包括:第一运算放大器,配置为耦接到第一电流变压器,第一电流变压器感测通过多个电源导线的净电...
  • 本发明题为“校准来自一组模数转换的ADC输出代码的校准电路和方法”。本发明涉及校准电路以及用于校准来自一组模数转换器的ADC输出代码的方法,该校准电路被配置为连接至一组模数转换器(ADC)并从每个ADC接收ADC输出代码,其中ADC输出...
  • 本公开涉及感应式角位置传感器。感应式角位置传感器的接收器线圈可以具有变得比对于高分辨率测量设计合理的电路特征更小的电路特征。当诸如在三相构型中使用多个接收器线圈时,并且当该多个接收器线圈中的每个接收器线圈呈扭绞环路构型时,尤其如此。所公...
  • 本公开涉及循环冗余校验(CRC)生成。公开了一种诸如成像系统的系统,该系统可包括循环冗余校验(CRC)值生成电路。该CRC值生成电路可包括数据拆分器,该数据拆分器拆分输入数据位流而不是多个拆分数据位流,每个拆分数据位流被插入具有值0的多...
  • 本公开涉及用于电子熔断器电路的短路检测器。一种电子熔断器,该电子熔断器包括钳位电路以增强由电子熔断器提供的保护。钳位电路可快速地检测短路状况,并且向控制器传输触发信号,使得电子熔断器的功率晶体管可在通过功率晶体管的电流导致过热或损坏之前...
  • 本申请涉及声学感测方法和传感器控制器。各种传感器、传感器控制器和感测方法适于在多信道超声传感器阵列(诸如在用于停车辅助、盲点监视和驾驶员辅助的系统中使用的那些)中使用。一种例示性声学感测方法包括:驱动声换能器以发送声脉冲串,每个声脉冲串...
  • 本公开涉及制造半导体器件的方法及半导体器件。在一个示例中,一种制造半导体器件的方法包括:提供半导体衬底,该半导体衬底包括未抛光的CZ硅衬底、衬底上侧以及与该衬底上侧相反的衬底下侧。该方法包括:在惰性环境中第一温度下对该半导体衬底进行第一...
  • 本公开涉及电池危险检测。本发明提供了一种针对异常状况对主机设备内的电池进行测试的方法、系统和集成电路。该方法包括将电池充电到完全充电状态,然后将已知负载施加到电池并将电池放电到指定电压深度。从电池移除已知负载,并且随时间监测电池的开路电...
  • 本申请涉及总线通信方法和总线主设备,允许传感器设备快速重新初始化,该快速传感器设备重新初始化使与意外设备重置相关联的中断时间最小化。一种例示性总线通信方法包括:为一个或多个从设备中的每个从设备提供动态确定的总线地址;查询动态确定的总线地...
  • 本公开涉及传递模塑的功率模块及其制造方法。在一般方面,一种电子设备组件包括:电路,该电路包括至少一个半导体管芯;以及信号引线,该信号引线与该电路电耦合。该信号引线具有穿过它而限定的孔。该组件还包括导电信号引脚保持器,该导电信号引脚保持器...
  • 本发明涉及音频播放系统,提供了一种同步音频播放的方法,所述方法的实施方式可包括使用校正块和第二样本计数器,将从通道流中的播放样本数量与从无线电信通道接收的来自第一音频扬声器设备的主通道流中的主播放样本数量进行比较。该方法可包括如果所述从...
  • 本发明涉及用于封装件的密封方法和封装件。封装件包括功率电子器件模块,功率电子器件模块设置在第一支架和第二支架之间,使得功率电子器件模块覆盖第一支架中的开口和第二支架中的开口。在功率电子器件模块的表面与第一支架的表面和第二支架的表面之间形...
  • 本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。在一个示例中,一种半导体器件包括半导体材料区域、在该半导体材料区域上方的第一电介质、在该第一电介质的第一部分上方的第一栅极导体和在该第一电介质的第二部分上方并且与该第一栅极导体横向间隔开的第二...
  • 本申请涉及一种用于半导体器件的射流冲击冷却组件及其制造方法、射流板组件。所述用于半导体器件的射流冲击冷却组件包括:入口室,该入口室被构造成接纳入口流体流;和射流板,该射流板具有形成在其中并且联接到入口室的多个射流喷嘴,并且被定位成将入口...
  • 本公开涉及半导体结构和制造半导体结构的方法。本发明在一个示例中提供了一种半导体结构,该半导体结构包括具有第一导电类型和第一侧的半导体材料区域。第二导电类型的掺杂区域以第一深度位于该半导体材料区域内。半导体器件位于该半导体材料区域的第一部...
  • 本公开涉及寻址用于功率状态和热管理的多相功率级模块。本发明公开了一种被配置用于向每个相分配唯一地址的功率级。具体地,所公开的功率级包括临时使用控制器与相之间的专用脉宽调制(PWM)连接来将唯一地址分配给该相。然后,在分配之后,该PWM连...
  • 公开了一种多相功率级,其包括寻址和通信技术以读取用于热负载平衡的相的温度。本公开描述了驱动器模块,可以通过在这些驱动器模块和控制器之间的专用脉宽调制连接件上临时传送地址而在公共通信总线上将用于串行通信的地址分配给这些驱动器模块。在分配之...
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