公开了一种用于检测掩模上的(多个)缺陷的改进的方法和系统。改进的方法包括：在晶片被使用掩模的光刻系统曝光以所选工艺条件曝光之后检查曝光晶片，该所选工艺条件是基于所选工艺条件下的掩模缺陷适印性确定的；以及基于检查标识由掩模上的缺陷引起的晶...

披露了一种用于测量衬底上的位于至少一个层下方的目标的方法。所述方法包括：利用包括至少一种泵浦波长的泵浦辐射激发所述至少一个层，以便在所述至少一个层内产生从所述目标反射的声波，由此在所述衬底的表面处产生所述目标的声学复制品；以及利用包括至...

一种带电粒子装置，被配置为将带电粒子多射束朝向样品投射，包括：带电粒子源，其被配置为发射带电粒子射束；光源，被配置为发射光；以及带电粒子光学设备，其被配置为向样品投射从带电粒子射束导出的带电粒子多射束的子射束；其中，光源被布置为使得光沿...

披露了一种用于确定针对光刻过程的至少第一过程的过程校正的方法，所述光刻过程至少包括使用至少第一设备在至少第一衬底上执行的所述第一过程和使用至少第二设备在至少所述第一衬底上执行的第二过程，其中，所述第一设备的校正致动能力不同于所述第二设备...

披露了一种用于对与在光刻过程中被曝光的衬底相关的衬底区域上的对准数据进行建模的方法。所述方法包括：获得与所述衬底相关的对准数据；并且将所述对准数据分离为在不同衬底之间相对稳定的系统分量和在不同衬底之间相对不稳定的非系统分量。所述系统分量...

一种确定衬底的套刻测量的方法，包括：将电荷注入到衬底的电荷注入元件中；确定第一对元件的第一电容和第二对元件的第二电容；以及基于第一电容和第二电容确定电容比。套刻测量可以基于电容比来确定，电容比可以指示不平衡。

本发明涉及一种静电保持器，包括本体和夹持元件，该夹持元件附接到本体，所述夹持元件包括电极，该电极用于在夹持元件与第一待夹持物体之间施加吸引力，其中本体的外边缘被配置为在本体的外边缘与第一待夹持物体之间提供间隙，该间隙被配置为用于输出用于...

描述了用于产生针对与光刻系统的光学系统相关的像差灵敏度而优化的设计(例如，待印制在衬底上的量测标记或器件图案)的实施例。通过将所述量测标记的像差灵敏度与所述器件图案的像差灵敏度匹配，针对给定器件图案来优化了量测标记(例如，透射图像传感器...

提供了用于调整光刻设备中的照射狭缝均匀性的系统、设备和方法。示例方法可以包括确定用于晶片曝光操作的曝光场是否小于均匀性校正系统的最大曝光场。响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，所述示例方法可以包括修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝...

一种用于制造集成电路的抗蚀剂组合物、抗蚀剂组合物的用途以及利用抗蚀剂组合物的光刻方法，其中所述抗蚀剂组合物包含具有选自四(五氟苯基)硼酸根、四[3,5‑双(三氟甲基)苯基]硼酸根、四[3,5‑双(叔丁基)苯基]硼酸根以及四[(3,5‑双...

公开了带电粒子光学设备。在一种装置中，设备包括带电粒子装置列和光传感器。物镜阵列向样品投射多个射束，并具有沿多个射束的路径布置的多个电极。多个闪烁体接收从样品发射的信号粒子。响应于所接收的信号粒子而生成光。光导装置将闪烁体生成的光引导到...

本发明提供了一种将传感器定位在位于能够移动的物体上的目标上方的方法，包括以下步骤：a.移动所述物体以将所述目标移动到期望位置，b.在朝向所述目标的被测得的瞬时位置的方向上移动所述传感器，c.当所述传感器位于所述目标上方时，将所述传感器与...

公开了一种用于校正检查图像的失真的改进的系统和方法。一种用于校正检查图像的失真的改进方法包括获取检查图像，基于与检查图像相对应的参考图像来对准检查图像的多个图像块，通过机器学习模型评估多个图像块中的每个图像块与参考图像的对应图像块之间的...

用于检测样品上的缺陷的系统和方法包括：接收第一图像和与第一图像相关联的第二图像；使用聚类技术，确定第一图像中的L个第一像素(多个)的N个第一特征描述符(多个)和第二图像中的L个第二像素(多个)的M个第二特征描述符(多个)，其中L个第一像...

一种用于光刻过程中的光传递的改善的确定序列的方法，包括：确定待传递的光的强度序列，所述强度序列包括在所述强度序列内的、其中基本上没有光被传递至衬底的间隔；和通过光源并且利用数字反射镜装置(DMD)根据所述强度序列将光传递至衬底。

公开了评估系统和方法。在一种布置中，物镜阵列中的电极畸变的影响被补偿。通过改变物镜阵列中的静电场来调整电极畸变。该调整使得补偿电极畸变对撞击在样品上的多束的子束的影响。响应于物镜阵列中的静电场的变化，对子束重新聚焦。调整和重新聚焦包括改...

本文描述了一种用于校准过程模型和训练图案化过程的逆过程模型的方法。训练方法包括：根据对基于晶片目标布局预测图案形成装置图案的逆光刻过程的模拟，获得第一图案形成装置图案；接收与使用第一图案形成装置图案曝光的晶片相对应的晶片数据；以及训练逆...

本文公开了一种在带电粒子评估系统中对准样品的方法。该系统包括用于支撑样品的支座，并且被配置为沿着多射束路径将多射束中的带电粒子朝向样品投射，该多射束包括子束的布置，并且检测响应于多射束的对应子束而从样品发射的信号粒子。该方法包括：将多射...

公开了一种用于在用于生成EUV辐射的系统中检测目标材料的微滴的装置和方法，其中照射系统被用来照射目标材料的微滴，并且检测器被布置为检测来自照射系统的已经被目标材料微滴前向散射或侧向散射的辐射。

本文描述了一种用于确定图案形成装置的曲线图案的方法，所述方法包括：获得(i)对应于待印制于经受图案化过程的衬底上的目标图案的所述图案形成装置的初始图像和(ii)配置成根据所述初始图像预测所述衬底的上的图案的过程模型；通过硬件计算机系统从...