公开一种辐射屏障和组件以及包括该辐射屏障的反应器。该辐射屏障能够用于控制来自基座加热器组件的热通量并且由此使得能够更好地控制跨过衬底表面的温度，该衬底被放置在基座加热器组件的表面上。

本发明公开了热原子层蚀刻工艺。在一些实施例中，该方法包括至少一个蚀刻循环，其中所述基材交替且序贯地暴露于第一气相卤化物反应物和第二气相卤化物反应物。在一些实施例中，第一反应物可包含有机卤化物化合物。在热ALE循环期间，基材不与等离子体反...

本申请涉及用于原子层沉积的系统和方法。原子层沉积(ALD)方法可以包含将第一反应物蒸气脉冲输送到反应器组件中。向第一反应物气体管线供应所述第一反应物蒸气。以第一流动速率向第一非活性气体管线供应非活性气体。借助于第一进料管线将所述第一反应...

本发明涉及用于储存和处理盒的盒供应系统及配备其的处理设备。该系统具有设置有基板的盒存储装置，该基板构造和布置成支承盒。还提供了一种具有末端执行器的盒处理器以将盒传送到基板和从基板传送盒，末端执行器具有至少一个突起以支承和定位末端执行器上...

本发明涉及晶片处理室及系统。该晶片处理室包括：壳体；安置在壳体上的第一闸阀；安置成接近于第一闸阀的第一喷射器口；安置在壳体外部的第一隔离阀；耦接到第一隔离阀的第一流量限制器；安置在壳体内的负载锁定喷射器口；安置在壳体外部的负载锁定隔离阀...

本申请涉及光敏装置和材料。本文公开用于在反应空间中的衬底上沉积包括介电性过渡金属化合物相和导电或半导体过渡金属化合物相的薄膜的沉积方法。沉积方法可包含多个超循环。每一超循环可包含介电性过渡金属化合物子循环和还原子循环。所述介电性过渡金属...

本发明提供了一种衬底处理设备，包括：提供了支撑表面(34)的衬底支撑件(32)，所述支撑表面用于在其上支撑衬底或衬底载体(24)；和支撑加热器(50)，所述支撑加热器被构造并被布置成加热所述支撑表面(34)。所述设备包括热屏蔽，所述热屏...

本发明涉及用于在基材上沉积薄膜的方法。特别地，该方法在基材上形成过渡金属硅酸盐。所述过渡金属硅酸盐例如可包括硅酸镧或硅酸钇。过渡金属硅酸盐呈现可靠性和良好的用于栅极介电材料的电特性。极介电材料的电特性。极介电材料的电特性。

公开了一种通过循环沉积在衬底上沉积金属硫族化物的方法。所述方法使所述衬底与至少一种含金属的气相反应物接触，所述气相反应物包括由式M

公开一种用于通过在由至少一个腔室壁和喷头界定的反应空间中进行原子层沉积而将过渡金属氮化物膜沉积在基材上的设备和方法。所述设备可以包含：安置于反应空间内的基材支架，所述基材支架被配置成用于支承至少一个基材；和温度控制系统，所述温度控制系统...

提供了通过循环沉积在基材上形成掺杂金属氧化物膜的方法。在一些实施例中，方法可包含：使所述基材与包括金属卤化物源的第一反应物接触；使所述基材与包括氢化源的第二反应物接触；以及使所述基材与包括氧化物源的第三反应物接触。在一些实施例中，相关半...

本发明的名称是电介质上氧化物的选择性PEALD。本申请提供了用于相对于金属表面选择性地在衬底的介电表面上沉积氧化物薄膜的方法。所述方法可包括至少一个等离子体增强原子层沉积(PEALD)循环，该循环包括使衬底与包含氧和待包括在氧化物中的物...

公开了一种用于形成紫外(UV)辐射响应性含金属氧化物的膜的方法。所述方法可包括：在衬底上沉积UV辐射响应性含金属氧化物的膜，做法是将衬底加热到低于400℃的沉积温度，使衬底与包括金属组分、氢组分和碳组分的第一气相反应物接触，并使衬底与包...

本申请涉及用于受控形成含氧薄膜的等离子体增强沉积方法。提供了用于在反应空间中的衬底上控制含氧薄膜诸如碳氧化硅(SiOC)和碳氮氧化硅(SiOCN)薄膜的形成的方法。所述方法可以包括至少一个等离子体增强原子层沉积(PEALD)循环，所述循...

本申请涉及使用沉积和去除进行的选择性层形成。提供了相对于预先沉积于第二表面上的钝化层在衬底的第一表面上选择性沉积介电膜的方法和系统。所述方法可以包括至少一个循环沉积过程，其用于在所述第一表面上沉积材料，同时去除所述钝化层，从而防止在所述...

提供了用于通过原子层沉积在基材上形成过渡金属铌氮化物膜的方法和相关的半导体装置结构。在一些实施方式中，方法可包括使基材与包含过渡金属前体的第一反应物接触，使基材与包含铌前体的第二反应物接触，+和使基材与包含氮前体的第三反应物接触。在一些...

一种处理室，其包括：反应室，其具有处理区域；处理气体入口，其与处理区域连通；第一受激发物质生成区，其与处理气体入口连通；以及第二受激发物质生成区，其与处理气体入口连通。一种处理基板的方法，其包括以下步骤：在处理区域内加载基板；激活第一受...

本申请涉及用于含钼或钨薄膜的ALD的前体的合成和用途。提供了用于形成例如MoS2、WS2、MoSe2和WSe2薄膜等含Mo和W薄膜的方法。还提供了用于合成Mo或Wβ

基座包括板状部件、用于加热所述板状部件的第一部的第一加热器、用于加热所述板状部件的第二部的第二加热器以及用于使所述第一部和所述第二部在所述板状部件的上表面侧彼此绝热的绝热部。绝热的绝热部。绝热的绝热部。

本公开涉及一种衬托器，所述衬托器具有带有面的大体上圆形本体，所述本体具有径向向内区段和径向向外区段，所述径向向外区段包括相对于径向向内区段升高的衬底支承表面。侧壁围绕衬底支承表面，所述衬底支承表面在将衬底保持在径向向外区段上时，侧壁围绕...