在脱模层下具有晶格过渡的生长结构被用作用于生长光电子器件的籽晶。光电子器件可以是单结或多结光伏器件。可以在外延剥离(ELO)工艺中选择性地去除脱模层，以将光电子器件与生长结构分离，并保留晶格过渡完整的区域，以重新利用该生长结构来生长另外...

一种用于从由大容量金属有机化学气相沉积(MOCVD)(120)操作产生的废气流中去除有毒废物的系统，包括：第一冷阱(130)，其配置成在第一压力操作并冷凝和分离废气流中的有毒物质，以作为固体废物被去除；泵(140)，其连接到第一冷阱(1...

描述了一种薄膜柔性光电器件。在一个方面，一种用于制造单结光电器件的方法包括：在衬底上形成p‑n结构，该p‑n结构包括具有与衬底的晶格常数匹配的晶格常数的半导体，该半导体包括稀释氮化物，并且该单结光电器件包括该p‑n结构；以及将该单结光电...

公开了多结光电器件及制造方法。在一方面，该方法包括在衬底上形成第一p‑n结构，所述第一p‑n结构包括具有与所述衬底的晶格常数匹配的晶格常数的半导体；在所述第一p‑n结构上形成一个或多个附加p‑n结构，所述一个或多个附加p‑n结构中的每一...

本公开的各方面涉及以高速率外延生长III/V族材料的工艺，如约30μm/小时或更高，例如，约40μm/小时、约50μm/小时、约55μm/小时、约60μm/小时、约70μm/小时、约80μm/小时和约90～120μm/小时的沉积速率。I...

本发明披露了一种光伏模块。该光伏模块包括一个被安置在一个透明前基板和一个后基板之间的搭叠瓦片阵列，其中，该搭叠瓦片阵列包括相互之间电电接触并且成多个重叠排定位的多个光伏瓦片。每个光伏瓦片包括安置在一个外延膜叠层上的一个前金属接触层，该外...

一种柔性电路，其允许将标准化的连接接口连接到柔性太阳能电池，以方便集成到电子设备中。这种互连方案不限制固有的太阳能电池柔性，并且可以符合电子设备制造中的标准设计实践。在一个方面，描述了一种太阳能模块，其包括一个或多个太阳能面板以及在绝缘...

公开了一种多结光电子器件(200)和制造方法。该方法包括在衬底(212)上提供第一p‑n结构(208)，其中第一p‑n结构包括具有第一带隙的第一半导体的第一基极层，使得第一半导体的晶格常数与衬底的晶格常数匹配，并且其中第一半导体包括II...

本发明涉及具有纹理化前表面和/或背表面的薄膜半导体光电器件。公开一种用于提供在光电器件中的纹理化层的方法。方法包括将模板层沉积在第一层上。模板层在厚度上或在组成上或在两者上具有明显的不均匀性，包括形成一个或多个岛状物以提供岛状物层的至少...

一种光伏模块包括后基板，该后基板在其顶部具有多个导电互连。导电互连包括第一接触区域和第二接触区域。所述光伏模块还包括多个光伏电池，所述多个光伏电池包括设置在支撑基板顶部上的后电极顶部上的光伏层的前表面上的前电极。多个后通孔延伸穿过第一电...

提供光伏(PV)电池(200)的系统和方法，该PV电池(200)具有缓冲层(260,411,412)以缓解前金属接触件(220)和薄膜PV层(230)之间的应力影响。该缓冲层由非导电材料制成并且具有多个通孔(420)，所述多个通孔(42...

一种充电设备，其配置为通过集成在移动设备上的太阳能电池为该移动设备充电。该充电设备将墙壁电源转换为能够被该太阳能电池吸收的光能，然后转换为电以存储在该移动设备的可充电电池中。该充电设备包括光源，该光源配置为发射具有调整到该太阳能电池的光...

本申请涉及包含异质结的光电子器件。本发明的实施方式大体涉及光电子半导体器件，例如包括太阳能电池的光伏器件。一方面，光电子半导体器件包含由砷化镓(GaAs)制成并且仅具有一种掺杂型的吸收层。发射极层比吸收层更靠近器件的背面，发射极层由与吸...

本发明涉及用于半导体化学气相沉积反应器的平铺式喷头。公开了由喷头平铺件阵列形成的半导体处理反应器的喷头。每个喷头平铺件具有可以在平铺件的中心区域中或可在整个平铺件上延伸的多个工艺气体孔。每个喷头平铺件可被定尺寸用于处理相应的基底或多个基...

本发明涉及用于化学气相沉积反应器的反射器和衬托器组件。用于化学气相沉积的反应器配备有IR辐射补偿衬托器组件，该组件在被布置成平行阵列的线性IR加热灯上方支撑一个或多个半导体衬底。灯下的一组初级IR辐射反射器以选定的图案将IR辐射返回引向...

一种使用交叉进行的负载锁转移的衬底处理。公开了具有含有两个负载锁和两个相关的加载/卸载单元的热反应器的衬底处理系统，以及操作该系统的相关方法。将衬底从反应器移动到两个负载锁的其中一个中，同时将衬底从两个负载锁的另外一个移动到反应器中。双...

本发明涉及用于分离的膜穿孔。提供了用于从预制大面积光电元件单元分离半导体装置光电元件单元的方法，连同相应的瓦片单元结构，其中沿着光电元件单元边界来切割瓦片单元，同时使沿着光电元件单元边界分布的一组特定耳片段完整。瓦片单元可以是半导体层的...

本发明涉及具有纹理化前表面和/或背表面的薄膜半导体光电器件。公开一种用于提供在光电器件中的纹理化层的方法。方法包括将模板层沉积在第一层上。模板层在厚度上或在组成上或在两者上具有明显的不均匀性，包括形成一个或多个岛状物以提供岛状物层的至少...

本发明涉及气相沉积反应器系统及其方法。本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置和方法。在一个实施方案中，CVD反应器具有反应器盖子组件，反应器盖子组件被布置在反应器体上并且包括被连贯地且线性地布置在盖子支撑件上邻近...

披露了一种光伏模块。该光伏模块包括一个被安置在一个透明前基板和一个后基板之间的搭叠瓦片阵列，其中，该搭叠瓦片阵列包括相互之间电电接触并且成多个重叠排定位的多个光伏瓦片。每个光伏瓦片包括安置在一个外延膜叠层上的一个前金属接触层，该外延膜叠...