太阳能电池模块由多个布置在金属基板的表面上的太阳能电池单元构成，其中，每个太阳能电池单元具有带有上侧和下侧的载体、布置在载体的上侧上的并且构造为太阳能电池的半导体本体和布置在半导体本体上的次级光学元件，其中，每个太阳能电池单元的载体分别...

一种太阳能电池接触装置，其具有带有上侧、下侧的半导体本体，半导体本体具有多个太阳能电池堆叠且在下侧上包括载体衬底，且每个太阳能电池堆叠具有布置在载体衬底上的至少两个III

一种用于借助半导体盘中的贯通开口进行贯通接触的方法，所述方法至少包括以下步骤：提供具有上侧、下侧的半导体盘，其中，所述半导体盘具有多个太阳能电池堆叠并且在所述下侧上包括衬底，并且每个太阳能电池堆叠具有布置在所述衬底上的至少两个III

一种用于在半导体晶片上结构化绝缘层的方法，该方法至少包括以下步骤：提供具有上侧、下侧并且包括多个太阳能电池堆叠的半导体晶片，其中，每个太阳能电池堆叠都以所提到的顺序具有构造半导体晶片的下侧的Ge衬底、Ge子电池和至少两个III

一种堆叠状的III

堆叠状的单片的多结太阳能电池单元，其具有至少四个子电池单元，带隙从第一子电池单元开始朝第四子电池单元的方向变得更大，每个子电池单元具有n掺杂的发射极和p掺杂的基极，第一子电池单元的发射极和基极分别由锗组成，所有跟随的子电池单元分别具有至...

堆叠状的单片的多结太阳能电池单元，其具有至少四个子电池单元，其中，带隙从第一子电池单元开始在第四子电池单元的方向上变得更大，每个子电池单元具有n掺杂的发射极和p掺杂的基极，其分别具有锗或由锗组成，所有跟随的子电池单元分别具有至少一种元素...

一种单片的变质的多结太阳能电池，其包括第一III

一种单片的变质的多结太阳能电池，其包括第一III

一种单片的变质的多结太阳能电池，包括：第一III

本发明涉及一种堆叠状的单片的多结太阳能电池，所述多结太阳能电池具有第一子电池，所述第一子电池具有p/n结，其具有发射极层和基极层，其中，所述发射极层的厚度至多为基极层的厚度的五分之一，所述第一子电池包括具有来自III族和V族的半导体材料...

一种垂直的高阻断的III

一种可扩展的电压源，具有：数量为N的相互串联连接的部分电压源，部分电压源构造为半导体二极管，每个半导体二极管具有p掺杂的吸收层和n吸收层；在每两个彼此相继的部分电压源之间构造有一个隧道二极管；部分电压源和隧道二极管单片地集成在一起并且共...

堆叠状的高阻断的III

堆叠状的光子III

气相外延方法，具有以下方法步骤：在反应腔中由外延气流的气相在衬底的表面上或在前面层上生长具有从第一传导类型改变至第二传导类型的掺杂的III‑V层，该外延气流具有承载气体、用于III.主族中的元素的至少一个第一前体和用于V.主族中的元素的...

气相外延方法，具有以下方法步骤：在反应腔中由外延气流的气相在衬底的表面或前面层上生长具有从p掺杂改变至n掺杂的掺杂变化曲线的III‑V层，该外延气流具有承载气体、用于III.主族中的元素的至少一个第一前体和用于V.主族中的元素的至少一个...

气相外延方法，具有以下方法步骤：提供第一传导类型的III‑V衬底，在装载温度T

气相外延方法，具有以下方法步骤：在反应腔中由外延气流的气相在衬底的表面或前面层上生长具有从第一传导类型改变至第二传导类型的掺杂的III‑V层，该外延气流具有承载气体、用于III.主族中的元素的至少一个第一前体和用于V.主族中的元素的至少...

气相外延方法，具有以下方法步骤：在反应腔中由外延气流的气相在衬底的表面或前面层上生长具有从n掺杂改变至p掺杂的掺杂变化曲线的III‑V层，该外延气流包括至少一个承载气体、用于III.主族中的第一前体和用于V.主族中的第一元素的至少一个第...