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消除基于GSHE‑MTJ的电路中的非所要电流路径制造技术

1个月前更新 2017-08-18 09:57:00 专利号:201580057658
消除基于GSHE‑MTJ的电路中的非所要电流路径 系统和方法涉及避免由巨自旋霍耳效应GSHE磁性隧道结MTJ元件形成的自旋电子逻辑门中的非所要电流路径或潜路径。潜路径防止逻辑耦合到所述GSHE‑MTJ元件,以防止所述潜路径。所述潜路径防止逻辑可包含耦合到所述一或多个GSHE‑MTJ元件的一或多个晶体管,以限制写入电流在写入操...

高密度低功率GSHE-STT MRAM制造技术

2016-09-08更新 2016-09-08 03:05:00 专利号:201580005854
高密度低功率GSHE-STT MRAM 本发明专利技术涉及存储器元件的系统及方法,所述存储器元件包括混合巨大自旋霍尔效应GSHE‑自旋转移力矩STT磁阻随机存取存储器MRAM元件,所述GSHE‑STT MRAM元件包含:GSHE条带,其形成在第一端子(A)与第二端子(B)之间;及磁性隧道结MTJ,其中所述MTJ的自...

三相GSHE-MTJ非易失性触发器制造技术

2016-09-01更新 2016-09-01 21:22:00 专利号:201580004461
三相GSHE-MTJ非易失性触发器 本发明专利技术的系统和方法是针对一种三相非易失性触发器NVFF(500),其包含:主级,其由双巨自旋霍尔效应GSHE‑磁性隧道结MTJ结构(J1,J2)形成,其中第一GSHE‑MTJ(J1)和第二GSHE‑MTJ(J2)耦合在第一组合端子(A1,B2)与第二组合端子(B1,A...

用于高密度低功率GSHE-STT MRAM的多电平单元设计制造技术

2016-09-01更新 2016-09-01 09:44:00 专利号:201580004716
本发明专利技术的系统和方法是针对多电平单元MLC,其包括:耦合到共同存取晶体管的两个或更多个可编程元件,其中所述两个或更多个可编程元件中的每一者具有一组对应的两个或更多个唯一切换电阻和两个或更多个切换电流特性,以使得在相应两个或更多个切换电阻中配置的所述两个或更多个可编程元件...

用于随机数产生器的具有磁阻元件的熵源制造技术

2014-06-30更新 2014-06-30 19:28:00 专利号:201280051736
用于随机数产生器的具有磁阻元件的熵源 本发明专利技术揭示熵源和随机数RN产生器。在一个方面中,低能量熵源包含磁阻MR元件和感测电路。所述MR元件被施加静态电流并且具有基于所述MR元件的磁化而确定的可变电阻。感测电路感测所述MR元件的电阻,并且基于所述MR元件的感测到的电阻提供随机值。在另一方面中,RN产生器包含熵...
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