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  • 一种游戏资源优化的方法
    本发明专利技术的技术方案包括一种游戏资源优化的方法,该方法包括:在游戏场景设置多个虚拟摄像机,进一步获取虚拟摄像机的视锥体范围内的游戏资源信息;使用可交互界面对所述步骤获取的游戏资源信息进行展示;使用编辑器根据游戏资源信息对游戏性能的影响对游戏资源信息执行对应的处理。本发明专...
  • 一种分布式终端管理系统和方法
    本发明专利技术的技术方案包括一种分布式终端测试管理系统和方法,用于实现:使用子服务器开启实时监测检测是否有测试机接入;获取接入测试机信息进行注册,并生成唯一识别码,并修改其实时状态,并将测试机加入租用列表;对接入的测试机信息在中心服务器进行更新;当测试机从服务器撤离时,修改其...
  • 一种铜排转运车
    本发明专利技术提供一种铜排转运车,包括支撑立柱、上横梁及下横梁,支撑立柱为四根呈矩形排列,上横梁依次将四根立柱的连接围成矩形顶框,下横梁依次将四根立柱的下端连接围成底框,支撑立柱中部设置有物料存放台,在底框内设置有底板,底板的底部设置有行走轮,所述上横梁设置有多个挂钩。本发明...
    专利权人:湖北国能电气有限公司,  技术研发人员:崔士勇熊文娟彭凯
  • 一种配电箱用接线装置
    本实用新型专利技术提供了一种配电箱用接线装置,包括上压板和下压板,所述上压板和下压板均包括有固定座及位于固定座上等间距设置的多个接线柱,所述接线柱远离固定座的端面上垂直该端面开有带铜片的固定孔;所述上压板和下压板上的多个接线柱均形成阶梯状结构,所述上压板和下压板之间反向对应配...
    专利权人:湖北国能电气有限公司,  技术研发人员:崔士勇熊文娟彭凯
  • 一种端子箱
    本实用新型专利技术公布了一种端子箱,包括箱体及箱盖,箱盖盖在箱体的上端,且箱盖的横截面呈中部凸起,两边向下倾斜的弧形,箱盖的四周边缘伸出箱体之外,箱盖的四周边缘均向内弯折形成有加强部位,加强部位的端头与箱体的接触部位固定在一起,在各个加强部位分别设置有多个通风孔,通风孔的进风...
    专利权人:湖北国能电气有限公司,  技术研发人员:崔士勇熊文娟彭凯
  • 一种铜排转运车
    本实用新型专利技术提供一种铜排转运车,包括支撑立柱、上横梁及下横梁,支撑立柱为四根呈矩形排列,上横梁依次将四根立柱的连接围成矩形顶框,下横梁依次将四根立柱的下端连接围成底框,支撑立柱中部设置有物料存放台,在底框内设置有底板,底板的底部设置有行走轮,所述上横梁设置有多个挂钩。本...
    专利权人:湖北国能电气有限公司,  技术研发人员:崔士勇熊文娟彭凯
  • 一种端子箱
    本发明专利技术公布了一种端子箱,包括箱体及箱盖,箱盖盖在箱体的上端,且箱盖的横截面呈中部凸起,两边向下倾斜的弧形,箱盖的四周边缘伸出箱体之外,箱盖的四周边缘均向内弯折形成有加强部位,加强部位的端头与箱体的接触部位固定在一起,在各个加强部位分别设置有多个通风孔,通风孔的进风端均...
    专利权人:湖北国能电气有限公司,  技术研发人员:崔士勇熊文娟彭凯
  • 本发明专利技术提供了一种配电箱用接线装置,包括上压板和下压板,所述上压板和下压板均包括有固定座及位于固定座上等间距设置的多个接线柱,所述接线柱远离固定座的端面上垂直该端面开有带铜片的固定孔;所述上压板和下压板上的多个接线柱均形成阶梯状结构,所述上压板和下压板之间反向对应配合安...
    专利权人:湖北国能电气有限公司,  技术研发人员:崔士勇熊文娟彭凯
  • 本发明专利技术公开了一种L-草铵膦的酶-化学催化去消旋化制备方法。该方法采用“一锅煮”反应方式,固定化D-氨基酸氧化酶在分子氧存在下,对映选择性催化DL-草铵膦中的D-对映体脱氢为2-亚氨基-4-(羟基甲基膦酰基)丁酸,钯碳-甲酸铵化学催化2-亚氨基-4-(羟基甲基膦酰基)丁...
    专利权人:重庆惠健生物科技有限公司,  技术研发人员:夏仕文方国兰熊文娟韦燕婵
  • 控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法
    本申请公开一种控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法。该方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成鳍片Fin;对所述Fin的关键尺寸进行测量;根据所述Fin的关键尺寸与Fin的规格要求的差异,查找预先获得的不同退火工艺对硅的消耗量,确定对所述衬底上的Fin的退火工艺;按照确定的退火...
    专利权人:中国科学院微电子研究所,  技术研发人员:徐强熊文娟张永奎殷华湘
  • 本发明专利技术属于生物技术领域,具体涉及一种解木糖赖氨酸芽孢杆菌及其制备α-酮酸的方法。本发明专利技术公开的菌株为解木糖赖氨酸芽孢杆菌(Lysinibacillus xylanilyticus)XX-2,保藏于中国典型培养物保藏中心,保藏号为CCTCC No:M2015520...
    专利权人:重庆邮电大学,  技术研发人员:夏仕文熊文娟韦燕婵何从林徐红梅
  • 本发明专利技术公开了一种类产碱假单胞菌株及其在制备西他列汀中间体中的应用,类产碱假单胞菌XW-40菌落表面形态扁平,圆形,边缘光滑整齐,呈潮湿状,颜色呈乳白色,不透明,菌落直径约为1.9mm。该菌株能够有效催化4-氧-4-[3-(三氟甲基)-5,6-二氢[1,2,4]三唑并[...
    专利权人:重庆邮电大学,  技术研发人员:何从林韦燕婵熊文娟夏仕文徐红梅
  • 本发明专利技术提供了一种后栅工艺中ILD层的处理方法,包括:形成伪栅区;覆盖层间介质层;进行化学机械抛光,直至暴露伪栅极;进行热退火;去除伪栅区。在形成ILD层之后进行热退火,热退火工艺能提高ILD层的致密度,降低在去除伪栅介质层时ILD层的刻蚀率,从而减小ILD层的损失。
    专利权人:中国科学院微电子研究所,  技术研发人员:崔虎山熊文娟殷华湘罗军张永奎徐强朱慧珑赵超
  • FinFet器件源漏区的形成方法
    本发明专利技术提供了一种FinFet器件源漏区的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底上具有鳍;在鳍的源漏区域进行离子注入;覆盖鳍的源漏区域以形成界面层,鳍顶部的界面层的厚度大于鳍侧面的界面层的厚度;进行热退火;去除界面层。由于杂质在鳍与界面层的分凝作用,杂质会向界面层扩散,并且...
    专利权人:中国科学院微电子研究所,  技术研发人员:刘金彪徐强熊文娟李春龙李俊峰刘青王垚
  • 本发明专利技术公开了利用高钙菱锶矿和毒重石联合生产硝酸锶和硝酸钡的方法,首先将高钙菱锶矿和毒重石分别粉碎并与水混合得到菱锶矿矿浆和毒重石矿浆,然后向菱锶矿矿浆中加入硝酸,反应过滤得到硝酸盐溶液和硫酸锶滤渣;接着向硝酸盐溶液加入双氧水和活性炭反应除杂;紧接着蒸发结晶除杂后的硝酸...
    专利权人:重庆邮电大学,  技术研发人员:何从林熊文娟韦燕婵徐红梅夏仕文
  • 本发明专利技术公开了可控粒径高纯碳酸锶的制备方法,包括以下步骤:首先配置质量浓度4-6%的硝酸铵溶液和质量浓度为13-16%的氢氧化锶溶液,然后向反应釜添加一定量的硝酸铵溶液,并密闭搅拌,接着向反应装置流加氢氧化锶溶液和二氧化碳于0.01~0.3MPa,30~60℃充分反应,...
    专利权人:重庆邮电大学,  技术研发人员:何从林韦燕婵熊文娟徐红梅夏仕文
  • 一种硅片甩干系统,所述系统包括甩干桶、甩干桶内用于固定第一片架的甩干支架,其中所述第一片架用于盛放具有第一尺寸的硅片,所述甩干桶内设置有硅片固定装置,所述硅片固定装置与所述具有第一尺寸的硅片在置于第一片架中时裸露出来的边缘接触于一点以将置于所述甩干桶内的所述第一片架中的所述具...
    专利权人:中国科学院微电子研究所,  技术研发人员:熊文娟王大海蒋浩杰
  • 一种退火系统
    本发明专利技术实施例提供一种退火系统,包括混合气体源与退火炉,所述混合气体源通过炉外进气管与所述退火炉的后端相连,所述混合气体源与所述炉外进气管之间设置有阀门,所述阀门与所述炉外进气管之间设置有流量计;其中,所述退火炉包括炉体和炉盖,所述炉体为圆柱体型结构,所述炉盖设置在所述...
    专利权人:中国科学院微电子研究所,  技术研发人员:熊文娟王大海蒋浩杰李俊峰
  • 本发明专利技术实施例公开了一种多晶硅栅极的制造方法,包括:提供衬底;在所述衬底上形成多晶硅薄膜;对所述多晶硅薄膜进行化学机械抛光;通过刻蚀工艺图案化所述多晶硅薄膜,以形成多晶硅栅极。通过对多晶硅薄膜进行化学机械抛光,使多晶硅薄膜的表面更平滑,而后对其进行图案化,这样使刻蚀工艺...
    专利权人:中国科学院微电子研究所,  技术研发人员:熊文娟李俊峰徐秋霞
  • 本发明专利技术实施例公开了一种界面层的形成方法,包括:提供衬底;通过热生长,在所述衬底上形成第一厚度的界面层;去除部分界面层,使所述界面层的厚度降低为第二厚度。通过本发明专利技术,可以采用目前的任意传统设备来制备出较厚的界面层,而后,去除部分界面层,使其厚度降低为较薄的界面层...
    专利权人:中国科学院微电子研究所,  技术研发人员:熊文娟李俊峰徐秋霞
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