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  • 一种高导热的功率器件封装结构和制作方法
    本发明专利技术公开了一种高导热的功率器件封装结构,功率器件通过金硅或金锗共晶层连接到热沉上,功率器件的衬底为非硅和非锗衬底;同时也公开了该结构的制作方法,包括步骤1,功率器件背金和热沉镀层处理;步骤2,将经过背金处理的功率器件以及镀层处理的热层,进行金硅或金锗共晶焊。本发明专...
    专利权人:昆山华太电子技术有限公司,  技术研发人员:李琳松张耀辉
  • 一种高导热的功率器件封装
    本发明专利技术公开了一种高导热的功率器件封装,包括高导热法兰,所述高导热法兰上从下往上依次镀有第一阻挡层、若干缓冲层以及第二阻挡层,所述第二阻挡层上焊接有芯片。本发明专利技术基于现有的成熟法兰材料,对镀层工艺的合理优化,引入缓冲层概念,既保留的法兰高导热的优点,又有效地解决了...
    专利权人:昆山华太电子技术有限公司,  技术研发人员:李琳松张耀辉
  • 本发明专利技术公开了一种多晶硅薄膜表面粗糙度的调整方法,包括以下步骤:通过SEMVISON设备观测炉内多晶硅薄膜表面的鼓包数量;调整沉积温度,直到多晶硅薄膜表面的鼓包数量趋于最少且保持不变时,再停止沉积温度的调整;调整磷烷和硅烷的气体流量比例,直到多晶硅薄膜表面的鼓包数量趋于...
    专利权人:苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司,  技术研发人员:许涛李琳松
  • 本发明专利技术涉及一种半导体薄膜材料的制作方法,尤其是一种低应力多晶硅薄膜的制作方法,属于半导体领域,该低应力多晶硅薄膜的制作方法通过先确定需要制备的低应力多晶硅薄膜的应力值,然后计算得出成膜温度和退火温度,最后通过分别在成膜温度和退火温度条件下进行淀积和退火工艺以得到所需要...
    专利权人:苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司,  技术研发人员:李琳松
  • 本发明专利技术公开了一种成长高可靠性IGBT终端保护环的方法,包括:1)在硅衬底上,成长第一热氧化层作为保护环注入阻挡层;2)刻蚀保护环注入阻挡层,打开保护环注入窗口;3)在保护环注入窗口进行保护环注入;4)进行高温热处理,并再次成长第二热氧化层,将第一热氧化层和第二热氧化层...
    专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,  技术研发人员:李琳松
  • 成长低应力IGBT沟槽型栅极的方法
    本发明专利技术公开了一种成长低应力IGBT沟槽型栅极的方法,包括:1)在硅片的正面和背面上,分别沉积保护膜;2)在硅片背面进行第一沟槽刻蚀;3)在硅片背面沉积第一沟槽封口膜;4)在硅片正面进行第二沟槽刻蚀;5)在硅片正面沉积第二沟槽封口膜;6)去除硅片背面的第一沟槽封口膜和保...
    专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,  技术研发人员:李琳松
  • 成长高可靠性IGBT金属连接的方法
    本发明专利技术公开了一种成长高可靠性IGBT金属连接的方法,包括:1)刻蚀硅衬底,形成沟槽;2)成长栅极氧化层,沉积多晶硅,形成IGBT沟槽型栅极;3)在栅极氧化层和多晶硅表面上,沉积层间介质层;4)在层间介质层表面上,通过光刻完成金属连接层槽的形成;5)湿法刻蚀层间介质层,...
    专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,  技术研发人员:李琳松
  • 本发明专利技术公开了一种射频横向扩散晶体管无缺陷深场氧隔离的成长方法,包括步骤:1)在硅片上,刻蚀出沟槽;2)对硅片表面进行氧化处理,形成第一氧化层;3)在第一氧化层表面上,沉积第一非掺杂多晶硅层;4)对硅片表面进行氧化处理,形成多晶硅氧化层;5)在沟槽内,沉积第二非掺杂多晶...
    专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,  技术研发人员:李琳松
  • 本发明专利技术公开了一种成长无缝填充非晶硅沟槽的方法,该方法通过炉管LPCVD成膜外加后续高温炉管热处理,以形成现成无缝填充非晶硅沟槽。本发明专利技术能有效避免后续回刻工艺打开缝隙,将残胶,残液带入缝隙的风险,同时提升器件性能和可靠性。
    专利权人:上海华虹NEC电子有限公司,  技术研发人员:李琳松孙勤
  • 本发明专利技术公开了一种低应力IGBT沟槽型栅极的成长方法,该方法在成长完栅极氧化层后,进行以下工艺步骤:1)在栅极氧化层上沉积一层多晶硅,并确保沉积后,沟槽内留有缝隙;2)多晶体回刻,形成上方开口的沟槽填充形貌;3)高温退火;4)多晶硅补沉积,形成无缝填充的沟槽作为栅极。其...
    专利权人:上海华虹NEC电子有限公司,  技术研发人员:李琳松
  • 本发明专利技术公布了一种IGBT沟槽型栅极的制造方法,其将栅极导电多晶硅分两次成长:第一次生长较厚的一层多晶硅,但保持沟槽开口,之后在第一层多晶硅的缝隙间引入一层缓冲层,然后生长最后的多晶硅将沟槽填满,缓冲层将被多晶硅环绕,减少多晶硅膜的收缩效应,降低硅片面内应力,以形成低应...
    专利权人:上海华虹NEC电子有限公司,  技术研发人员:成鑫华李琳松肖胜安孙勤孙娟袁苑
  • 本发明专利技术公开了一种IGBT器件的制作方法,在IGBT分离器件的金属层沉积之前,在已经形成的器件结构的硅片背面形成具有正应力的膜。本发明专利技术能有效抵消厚金属层的应力,改善硅片的翘曲度,使后续金属层的光刻与刻蚀能正常实施。
    专利权人:上海华虹NEC电子有限公司,  技术研发人员:成鑫华李琳松季伟李刚
  • 本发明专利技术公开了一种RFLDMOS中形成厚氧化硅隔离层的制造方法,在P型硅衬底上生长P型外延,并在其上生长ON叠层,光刻和干刻ON叠层形成场氧开口,在硅层中刻蚀形成凹进;淀积氧化硅层并进行光刻和干刻,间隔打开氧化硅层并刻蚀深沟槽;相邻深沟槽之间的侧壁厚度为常规场氧厚度的0...
    专利权人:上海华虹NEC电子有限公司,  技术研发人员:周正良遇寒李琳松蔡莹
  • 本发明专利技术公开了一种IGBT栅极沟槽多晶硅的填充方法,该方法在成长完栅极氧化层后,循环进行低温多晶硅的淀积和高温多晶硅的淀积,直至将沟槽填满。本发明专利技术利用不同温度下成长的多晶硅应力不同的特点,在沟槽内交替进行低温、高温多晶硅的填充,将不同应力的多晶硅复合膜叠加在一起...
    专利权人:上海华虹NEC电子有限公司,  技术研发人员:刘继全孙勤李琳松
  • 本发明专利技术公开了一种成长低应力绝缘栅双极型晶体管沟槽型栅极的方法,在沟槽内和沟槽两侧的上端面成长一层IGBT沟槽栅极氧化层;在多晶硅炉管上增加一路氧气管路,在沟槽内沉积多晶硅进行多晶硅成膜,并将需要成膜的多晶硅分多个步骤在一次程式中完成,在每个多晶硅成膜步骤完成后,通入稀...
    专利权人:上海华虹NEC电子有限公司,  技术研发人员:成鑫华李琳松肖胜安孙勤
  • 本发明专利技术公开了一种成长低应力IGBT沟槽型栅极的方法,第一步,在沟槽内和沟槽两侧的硅片上端面上成长一层沟槽栅极氧化层,在该沟槽栅极氧化层上沉积一层较薄的多晶硅层,并保证沟槽还有很大的空间没有填充,之后进行多晶硅部分回刻,打开沟槽开口;第二步,在所述多晶硅层上成膜一缓冲层...
    专利权人:上海华虹NEC电子有限公司,  技术研发人员:成鑫华李琳松肖胜安孙勤孙娟袁苑
  • 本发明专利技术公开了一种厚氧化薄膜的制作方法,该厚氧化薄膜的厚度为4-7微米,该方法包括如下步骤:第一步,采用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积法交替沉积氧化薄膜;第二步,退火处理。本发明专利技术通过用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积法的交替沉积,并辅助...
    专利权人:上海华虹NEC电子有限公司,  技术研发人员:成鑫华陈立鸣李琳松姚嫦娲
  • 本发明专利技术公开了一种使用炉管进行工艺加工的方法,首先于主反应步骤设定依次递增的温度,确保晶舟的各个位置硅片的成膜膜厚均匀一致;其次还可以新增补偿反应步骤,所述补偿反应采用的气体只是主反应中的保护性气体;所述补偿反应设定与主反应相反方向的依次递增的温度;所述补偿反应的时间与...
    专利权人:上海华虹NEC电子有限公司,  技术研发人员:李琳松孙勤
  • 本发明专利技术提供了一种半导体炉管的温度设置方法,该炉管分为内管和外管,外管的外部具有加热装置,内管内部装设有用于装载晶片的晶舟和用于监控内管内部情况的监控器,内管的上、下端和外管的下端均设置有进气口和排气口;炉管沿轴向分为至少3个区域,利用加热装置使该至少3个区域的温度彼此...
    专利权人:和舰科技苏州有限公司,  技术研发人员:肖新民李琳松
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