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  • 一种半导体器件包括存储器区块,所述存储器区块包括耦接至字线的存储器单元;以及适于对耦接至选中字线的存储器单元执行编程操作和验证操作的操作电路,其中,当执行编程操作时,操作电路施加第一编程允许电压至第一编程故障单元的位线以保持编程故障状态,并且施加具有与第一编程允许电压不同的电...
    专利权人:爱思开海力士有限公司,  技术研发人员:安致昱李珉圭
  • 本发明专利技术的一个实施例可以提供一种半导体存储器件,其包括:存储器单元阵列,存储器单元阵列包括多个存储器单元;外围电路单元,其被配置成针对选自多个存储器单元的存储器单元执行编程操作,其中,第一编程电压施加操作至第三编程电压施加操作和第一验证操作至第三验证操作被交替地执行;以...
    专利权人:爱思开海力士有限公司,  技术研发人员:安致昱李珉圭
  • 根据本发明专利技术的一实施例的半导体存储器件包括分别耦接至第一字线群组和第二字线群组的第一单元串和第二单元串。一种操作所述半导体存储器件的方法可以包括通过施加通过电压至所述第二字线群组以在所述第二单元串中形成通道;通过所述位线以将在所述第一单元串的存储单元中耦接至所述第一字线...
    专利权人:爱思开海力士有限公司,  技术研发人员:林仁根李珉圭
  • 半导体器件包括存储块,存储块包括被配置成形成偶数页面的偶数存储器单元和被配置成形成奇数页面的奇数存储器单元。半导体器件还包括操作电路,操作电路被配置成对偶数存储器单元和奇数存储器单元执行的编程操作。第一验证操作可以分别验证偶数存储器单元和奇数存储器单元,第二验证操作可以同时验...
    专利权人:爱思开海力士有限公司,  技术研发人员:林仁根李珉圭安致昱
  • 半导体存储器件及其编程方法
    一种半导体存储器件的编程方法包括以下步骤:在第n编程循环中,将第一编程脉冲施加至第一存储器单元组、将第二编程脉冲施加至第二存储器单元组、以及判断第一存储器单元组中的第一快单元和第一慢单元;以及在第n+1编程循环中,将第一编程脉冲增加了步进电压的第三编程脉冲施加至第一存储器单元...
    专利权人:爱思开海力士有限公司,  技术研发人员:金南勋李珉圭
  • 一种手术机器人系统,包括:手术机器人本体;第一动力源,连接在本体,用于提供被本体控制的驱动力;第一机械臂,连接在本体,从第一动力源接收驱动力而进行动作;机器人器械(robotic instrument),安装在第一机械臂,从第一动力源接收驱动力进行动作;第二动力源,连接在本体...
    专利权人:韩商未来股份有限公司,  技术研发人员:崔胜旭元钟硕李珉圭
  • 本发明专利技术提供一种操作半导体存储器件的方法,包括:选择多个字线中的一个;将从第三电平逐渐下降至第一电平的编程电压施加至所选择的字线;并且每当改变编程电压的电平时将位线放电。
    专利权人:海力士半导体有限公司,  技术研发人员:李珉圭
  • 公开了一种非易失性存储设备及其操作方法,该非易失性存储设备包括:数据锁存部件,被配置为存储要编程到存储单元中的数据或者存储从存储单元所读取的数据,和页缓冲器,每一个均包括感测节点放电部件,感测节点放电部件被配置为根据在数据锁存部件中所存储的数据并且响应于感测节点放电信号来有选...
    专利权人:海力士半导体有限公司,  技术研发人员:李珉圭
  • 一种对闪存器件编程的方法控制沟道升压电平以确保器件特性。通过施加编程电压给选择的存储单元以及施加通过电压给未选择的存储单元、以增量步进脉冲编程(ISPP)的方式对闪存器件进行编程。通过改变通过电压以使得在所述未选择的存储单元的沟道电压和字线电压之间保持预定范围的差距来执行所述...
    专利权人:海力士半导体有限公司,  技术研发人员:李珉圭
  • 快闪存储设备包括区块开关、第一和第二单元串、第一和第二源极线、漏极触点、以及第一和第二源极触点。将第一单元串连接到第一位线并且将第二单元串连接到第二位线。第一和第二单元串每个均包括串联连接的漏极选择晶体管、多个单元晶体管、以及源极选择晶体管。漏极触点将第一和第二位线连接到半导...
    专利权人:海力士半导体有限公司,  技术研发人员:李珉圭
  • 一种用于编程非易失性存储装置的方法,该方法包括将第一编程校验电压应用到第一字线上以便确定与第一字线相关的存储单元是否已经编程成功。第二编程校验电压被应用到第二字线上以便确定与第二字线相关的存储单元是否已经编程成功。第二编程校验电压不同于第一编程校验电压。第一和第二字线与同一字...
    专利权人:海力士半导体有限公司,  技术研发人员:李珉圭
  • 一种验证闪存器件的方法,包括:将分别连接到偶数位线和奇数位线的存储器单元串放电;接着,将电压施加到分别连接到偶数位线和奇数位线的存储器单元串,从而对存储器单元串进行预充电;通过对连接到偶数位线的每个存储器单元串的状态进行感测将连接到偶数位线的存储器单元串验证为被擦除;以及通过...
    专利权人:海力士半导体有限公司,  技术研发人员:李珉圭
  • 在NAND闪存器件的编程时,在编程和编程验证完成后,在连接到最后字线的单元上执行再编程。因此,可以将连接到最后字线的单元的阈值电压分布控制为与其它单元一样具有窄的宽度。因此可以保证芯片的读取裕度并提高成品率。通过如上述地将阈值电压分布控制为具有窄的宽度,可以提高器件的持久性和...
    专利权人:海力士半导体有限公司,  技术研发人员:李珉圭
  • 提供了一种读取NAND闪存设备的方法。NAND闪存设备包括被选择的第一位线和未被选择的第二位线。每个位线都连接至单元串,该单元串包括串联连接的串选择晶体管、多个存储器单元晶体管、和源极选择晶体管。在该方法中,首先,对第一位线进行预充电,同时将电源电压施加到第二位线。导通串选择...
    专利权人:海力士半导体有限公司,  技术研发人员:李珉圭
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