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消除基于GSHE‑MTJ的电路中的非所要电流路径制造技术

2017-08-18更新 2017-08-18 09:57:00 专利号:201580057658
消除基于GSHE‑MTJ的电路中的非所要电流路径 系统和方法涉及避免由巨自旋霍耳效应GSHE磁性隧道结MTJ元件形成的自旋电子逻辑门中的非所要电流路径或潜路径。潜路径防止逻辑耦合到所述GSHE‑MTJ元件,以防止所述潜路径。所述潜路径防止逻辑可包含耦合到所述一或多个GSHE‑MTJ元件的一或多个晶体管,以限制写入电流在写入操...

用于构造三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)和相关系统的方法技术方案

2017-02-25更新 2017-02-25 20:07:00 专利号:201580026517
用于构造三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)和相关系统的方法 本发明专利技术揭示用于构造三维集成电路和相关系统的方法。在一个方面中,通过在固持衬底上形成例如晶体管的有源元件来构造第一层。在所述有源元件上方形成互连金属层。在所述互连金属层内形成金属接合垫。还同时或依序地形成第二层。所述第二层与所述第一层以大致相同的方式形成且接着置于所述第...
专利权人:高通股份有限公司 技术研发人员:杜杨卡里姆·阿拉比

高密度低功率GSHE-STT MRAM制造技术

2016-09-08更新 2016-09-08 03:05:00 专利号:201580005854
高密度低功率GSHE-STT MRAM 本发明专利技术涉及存储器元件的系统及方法,所述存储器元件包括混合巨大自旋霍尔效应GSHE‑自旋转移力矩STT磁阻随机存取存储器MRAM元件,所述GSHE‑STT MRAM元件包含:GSHE条带,其形成在第一端子(A)与第二端子(B)之间;及磁性隧道结MTJ,其中所述MTJ的自...

三相GSHE-MTJ非易失性触发器制造技术

2016-09-01更新 2016-09-01 21:22:00 专利号:201580004461
三相GSHE-MTJ非易失性触发器 本发明专利技术的系统和方法是针对一种三相非易失性触发器NVFF(500),其包含:主级,其由双巨自旋霍尔效应GSHE‑磁性隧道结MTJ结构(J1,J2)形成,其中第一GSHE‑MTJ(J1)和第二GSHE‑MTJ(J2)耦合在第一组合端子(A1,B2)与第二组合端子(B1,A...

用于高密度低功率GSHE-STT MRAM的多电平单元设计制造技术

2016-09-01更新 2016-09-01 09:44:00 专利号:201580004716
本发明专利技术的系统和方法是针对多电平单元MLC,其包括:耦合到共同存取晶体管的两个或更多个可编程元件,其中所述两个或更多个可编程元件中的每一者具有一组对应的两个或更多个唯一切换电阻和两个或更多个切换电流特性,以使得在相应两个或更多个切换电阻中配置的所述两个或更多个可编程元件...

扫描电路制造技术

2016-07-09更新 2016-07-09 09:22:00 专利号:201610085456
本申请涉及扫描电路。通过确定电路设计的最小泄漏状态且接着选择使所述电路设计保持在其最低泄漏状态的逻辑门来选择用于q门控的特定逻辑门。取决于实施所述最小泄漏状态所需的输入,可将所述门选择为NOR或OR门。用经选择以实施所述最小泄漏状态的门实施的q门控可在选定操作模式期间启用。可...
专利权人:高通股份有限公司 技术研发人员:拉贾马尼·塞瑟拉姆卡里姆·阿拉比

使用增强型门控Q扫描技术来减少集成电路泄漏电力制造技术

2013-06-13更新 2013-06-13 13:03:00 专利号:201180049155
通过确定电路设计的最小泄漏状态且接着选择使所述电路设计保持在其最低泄漏状态的逻辑门来选择用于q门控的特定逻辑门。取决于实施所述最小泄漏状态所需的输入,可将所述门选择为NOR或OR门。用经选择以实施所述最小泄漏状态的门实施的q门控可在选定操作模式期间启用。可用自动测试模式产生A...
专利权人:高通股份有限公司 技术研发人员:拉贾马尼·塞瑟拉姆卡里姆·阿拉比
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